近日，日本經濟產業省發表聲明稱，將為一個名為“高通”的組織提供價值450億日元（約合3億美元）的資金支援，用于發展尖端半導體科技。該項目致力于在2028年前實現1.4納米芯片制程工藝，同時還計劃與Rapidus共享研發成果。

作為這一大型研發中心的領導者，“高通”的主席為Rapidus的董事長Higashi。該中心由眾多科研機構及大學參與組成。

日本政府正在積極致力于重建本國的芯片制造業，此次資金援助正恰逢其時。在此基礎之上，Rapidus也決定在北海道引進2納米邏輯芯片生產線，以便在全球范圍內與業內巨頭，如臺積電展開市場競爭。預計最早在2027年，具備政府背景的初創企業Rapidus便可實現2納米芯片在北海道的量產化。

而另一方面，臺灣的晶圓巨頭臺積電則宣布在日本熊本建立第二座工廠，并將于2027年投入運行，全力協助日本構建其主要的半導體生產基地。