據報道，臺積電股份有限公司與工業技術研究院合作研發出名為“自旋軌道力矩式磁性內存” （SOT-MRAM） 的下一代 MRAM 存儲器，搭載創新算法，能源消耗較同類技術 STT-MRAM 降低了約百分之九十九，這將有效提升其在AI和高性能計算（HPC）領域的競爭力。

鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發的重點。

作為全球半導體巨頭之一，臺積電早已開始涉足MRAM產品的研究開發，現已成功開發出22納米、16/12納米工藝的相應產品線。如今再次推出新款超低功耗SOT-MRAM，有望繼續加強其市場領袖地位。據官方宣稱，新的SOT-MRAM內存功耗僅為STT-MRAM的百分之一，同時形成的科研成果也處于國際領先地位，并且在備受矚目的國際電子元件會議（IEDM）上得到發表。

值得注意的是，STT-MRAM是一種使用自旋電流進行信息寫入的新型非易失性磁隨機存儲器，屬于第二代磁性存儲器MRAM。其存儲單元主要由兩層不同厚度的鐵磁層和一層幾個納米厚的非磁性隔離層構成。