近日，由北方華創(chuàng)自主研發(fā)的12英寸高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）設(shè)備Orion Proxima正式進(jìn)入客戶端驗(yàn)證。這標(biāo)志著北方華創(chuàng)在絕緣介質(zhì)填充工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新的突破，也為北方華創(chuàng)進(jìn)軍12英寸介質(zhì)薄膜設(shè)備領(lǐng)域，打開(kāi)百億級(jí)市場(chǎng)邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

集成電路領(lǐng)域高速發(fā)展，對(duì)芯片制造工藝提出了更具挑戰(zhàn)的要求，其中就包括如何用絕緣介質(zhì)在各個(gè)薄膜層[1]之間進(jìn)行均勻無(wú)孔的填充，以提供充分有效的隔離保護(hù)。為了滿足以上需求，HDPCVD設(shè)備已經(jīng)成為介質(zhì)薄膜沉積工藝的重要設(shè)備。

包括淺槽隔離（Shallow-Trench-Isolation，STI），金屬前絕緣層（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金屬層間絕緣層（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。

Orion Proxima作為北方華創(chuàng)推出的國(guó)產(chǎn)自研高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，主要應(yīng)用于12英寸集成電路芯片的淺溝槽絕緣介質(zhì)填充工藝。此款設(shè)備通過(guò)沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對(duì)高深寬比溝槽間隔的絕緣介質(zhì)填充，借助北方華創(chuàng)在刻蝕技術(shù)上的積累，發(fā)揮其高沉積速率、優(yōu)異的填孔能力和低溫下進(jìn)行反應(yīng)得到高致密的介質(zhì)薄膜的優(yōu)勢(shì)，獲得多家業(yè)內(nèi)客戶關(guān)注。

正如北方華創(chuàng)一直秉承“以客戶為中心”的企業(yè)核心價(jià)值觀，華創(chuàng)人始終以務(wù)實(shí)的精神堅(jiān)持“急客戶之所急、想客戶之所想”作為技術(shù)創(chuàng)新永續(xù)驅(qū)動(dòng)力?，F(xiàn)階段，Orion Proxima技術(shù)性能在迭代升級(jí)中已達(dá)業(yè)界先進(jìn)水平：通過(guò)靈活可控的軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化與自主研發(fā)特有傳輸平臺(tái)的結(jié)合，助力客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的大幅提升，取得雙贏；通過(guò)提供不同的硬件配置方案，滿足了包括填孔能力、膜層質(zhì)量、顆?？刂频裙に囆枨蟮耐瑫r(shí)，更實(shí)現(xiàn)了對(duì)邏輯、存儲(chǔ)及其他特色工藝領(lǐng)域客戶的全覆蓋。

在創(chuàng)新中突破、在專業(yè)中精進(jìn)，Orion Proxima HDPCVD通過(guò)優(yōu)化機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)，縮小了整機(jī)占地面積，節(jié)省了客戶空間運(yùn)營(yíng)成本；通過(guò)優(yōu)化排氣管路設(shè)計(jì)，提高了清洗效率；通過(guò)優(yōu)化開(kāi)蓋方式，縮減了人力維護(hù)開(kāi)支，提高了設(shè)備生產(chǎn)效率。

北方華創(chuàng)正基于20余年沉積工藝技術(shù)的深厚積累，全面布局多類薄膜產(chǎn)品，致力于為客戶提供全面的薄膜產(chǎn)品解決方案。

審核編輯：黃飛