攸關(guān)臺(tái)積電2納米以下先進(jìn)制程布局的中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期都市計(jì)劃變更案，內(nèi)政部都市計(jì)劃委員會(huì)昨天決議通過(guò)。臺(tái)積電目前尚未對(duì)這塊地是否由原規(guī)劃的2納米用地，變更為更先進(jìn)的1.4納米使用，臺(tái)積電供應(yīng)鏈推測(cè)，以目前臺(tái)積電將寶山及高雄展開(kāi)2納米建廠作業(yè)，預(yù)料中科二期擴(kuò)建將會(huì)把1.4納米制程列入未來(lái)建廠優(yōu)先計(jì)劃。

不過(guò)，據(jù)了解，臺(tái)積電仍未放棄在北部建立1.4納米生產(chǎn)基地的念頭。中科管理局表示，后續(xù)將請(qǐng)臺(tái)中市政府協(xié)助盡速辦理公告實(shí)施，以利接續(xù)啟動(dòng)用地取得作業(yè)，預(yù)計(jì)明年六月底提供土地給廠商建廠，以應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。

由于中科二期擴(kuò)建先前已獲臺(tái)中市都市計(jì)劃委員會(huì)通過(guò)變更案，內(nèi)政部昨天審議通過(guò)，符合臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期，因此公司除了感謝相關(guān)單位協(xié)助外，不對(duì)此案后續(xù)規(guī)劃做任何回應(yīng)。

中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期緊鄰臺(tái)中園區(qū)西側(cè)，面積八十九點(diǎn)七五公頃。根據(jù)臺(tái)積電最初向中科管理局提出的中科擴(kuò)大計(jì)劃用地申請(qǐng)，臺(tái)積電希望中科二期擴(kuò)大計(jì)劃作為2納米的備援用地，后來(lái)臺(tái)中市政府審定將面積縮小，頂多只有興建兩座2納米旗艦廠。

相較臺(tái)積電以?xún)?nèi)部編定為Fab20的寶山廠為2納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)，后來(lái)也將高雄廠變更切入2納米，形成南北都有2納米生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，一般預(yù)料在臺(tái)積電宣布放棄原打算作為1.4納米生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)的桃園龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)三期擴(kuò)大計(jì)劃后，可能先將中科二期擴(kuò)大用地，作為1.4納米的優(yōu)先用地規(guī)劃，但臺(tái)積電仍會(huì)視各縣市爭(zhēng)取的態(tài)度以及提出方配套計(jì)劃，再挑一處1.4納米，甚至是更先進(jìn)的一納米用地。

目前包括高雄、臺(tái)南、嘉義、云林和臺(tái)中等縣市，都表態(tài)歡迎臺(tái)積電前去設(shè)立先進(jìn)制程晶圓廠，預(yù)料臺(tái)積電應(yīng)會(huì)評(píng)選其他用地規(guī)劃后，再做最后定奪。中科管理局局長(zhǎng)王永壯稍早釋出臺(tái)積電寶山廠將于明年四月開(kāi)始裝機(jī)，第二廠也同步加緊建廠作業(yè)，以利2納米能如期在2025年量產(chǎn)。

可靠消息人士透露，臺(tái)積電高雄廠則規(guī)劃切入2納米強(qiáng)化版（Ｎ２Ｐ）制程，預(yù)定2026年量產(chǎn)；以此時(shí)程推估，臺(tái)積電的1.4納米推出時(shí)間將落在2027到2028年，中科二期擴(kuò)大計(jì)劃，可讓臺(tái)積電在決定未來(lái)先導(dǎo)入2納米或直接切入1.4納米，有了更大的彈性及和各縣市談條件的空間。

臺(tái)積電首次提及1.4nm工藝

據(jù)tomshardware報(bào)道，臺(tái)積電在 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 的未來(lái)邏輯小組上透露，臺(tái)積電 1.4 納米級(jí)制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)正在順利進(jìn)行 。臺(tái)積電還再次強(qiáng)調(diào)，使用其 2 納米級(jí)制造工藝的量產(chǎn)有望在 2025 年實(shí)現(xiàn)。

根據(jù) SemiAnalysis 的Dylan Patel發(fā)布的幻燈片，臺(tái)積電的 1.4 納米生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)正式稱(chēng)為 A14 。目前，臺(tái)積電尚未透露計(jì)劃何時(shí)開(kāi)始 A14 及其規(guī)格的量產(chǎn)（HVM），但鑒于 N2 計(jì)劃于 2025 年末、N2P 計(jì)劃于 2026 年末，因此有理由猜測(cè) A14 會(huì)在此之后推出。也就是介乎2027到2028年之間。

在功能方面，A14不太可能采用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET），盡管臺(tái)積電正在探索該技術(shù)。因此，A14 可能會(huì)依賴(lài)該公司的第二代或第三代環(huán)柵 FET (GAAFET)——就像 N2 節(jié)點(diǎn)一樣。

N2 和 A14 等節(jié)點(diǎn)將需要系統(tǒng)級(jí)協(xié)同優(yōu)化才能真正發(fā)揮作用，并實(shí)現(xiàn)新水平的性能、功耗和功能。

仍有待觀察的是臺(tái)積電是否計(jì)劃在 2027 年至 2028 年期間為其 A14 工藝技術(shù)采用高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具。鑒于到那時(shí)英特爾（可能還有其他芯片制造商）將采用并完善數(shù)值孔徑為 0.55 的下一代 EUV 光刻機(jī)，芯片合同制造商應(yīng)該相當(dāng)容易使用它們。然而，由于高數(shù)值孔徑 EUV 光刻工具將掩模版尺寸減半，其使用將為芯片設(shè)計(jì)者和芯片制造商帶來(lái)一些額外的挑戰(zhàn)。

當(dāng)然，從現(xiàn)在到 2027 - 2028 年，情況可能會(huì)發(fā)生變化，因此我們不能做出太多假設(shè)。但很明顯，臺(tái)積電的科學(xué)家和開(kāi)發(fā)人員正在研究下一代生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。

隨著半導(dǎo)體工藝深入到5nm以下，制造的難度和成本日益增加。摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就會(huì)面臨嚴(yán)重的量子隧穿難題，這將導(dǎo)致晶體管失效。各大廠商在實(shí)際尺寸上采用的先進(jìn)工藝仍有一定的余地，紙面上的1nm工藝仍可能存在。

臺(tái)積電去年成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)研發(fā)1.4nm工藝，CEO劉德音表示公司正在探索比1.4nm更先進(jìn)的工藝。1.4nm工藝是半導(dǎo)體行業(yè)追求的目標(biāo)之一，但將會(huì)面臨很大的挑戰(zhàn)。

根據(jù)IMEC歐洲微電子中心的路線圖，2nm工藝之后是14A，也就是1.4nm工藝，預(yù)計(jì)在2026年問(wèn)世，再往后就是A10工藝，也就是1nm，預(yù)計(jì)在2028年問(wèn)世。

然而，實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)延后。在2nm節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)需要進(jìn)行大規(guī)模升級(jí)，ASML預(yù)計(jì)在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用High NA技術(shù)提高光刻分辨率。但下一代EUV光刻機(jī)的售價(jià)將從1.5億美元上漲到4億美元以上，甚至可能會(huì)進(jìn)一步增加，這對(duì)制造商的成本控制能力提出了很大的考驗(yàn)。