隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興技術(shù)的發(fā)展，工業(yè)自動(dòng)化已經(jīng)成為全球制造業(yè)的重要發(fā)展方向。自動(dòng)化工廠的生產(chǎn)和制造過(guò)程將更加自動(dòng)化、效率化、精確化，并具有可控性及可視性，從而達(dá)到增加產(chǎn)量、提高質(zhì)量、降低消耗、確保安全等目的。

英飛凌（Infineon）作為世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先行者和引領(lǐng)者，一直致力于打造先進(jìn)的產(chǎn)品和全面的系統(tǒng)解決方案，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案，推動(dòng)構(gòu)建低碳化、數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

本期歐時(shí)精選，向大家介紹英飛凌（Infineon）半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案。

產(chǎn)品推薦

英飛凌（Infineon）

直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片

RS 庫(kù)存編號(hào)：906-3085

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

半橋輸出，TO-263封裝

• 增強(qiáng)的切換速度，可減少切換損耗
• 可實(shí)現(xiàn)高PWM頻率，結(jié)合有源自由轉(zhuǎn)換
• 低靜態(tài)電流，典型值為7μA @ 25°C
• 開(kāi)關(guān)模式電流限制，可減少過(guò)電流時(shí)的功率消耗
• 最小電流限制級(jí)別為55A
• 狀態(tài)標(biāo)志診斷，帶電流感應(yīng)功能
• 過(guò)熱關(guān)閉，帶鎖定行為
• 低電壓關(guān)閉
• 驅(qū)動(dòng)器電路，帶邏輯級(jí)輸入
• 可調(diào)滑動(dòng)速率，用于優(yōu)化EMI
• 工作電壓高達(dá)40V
• 綠色產(chǎn)品（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
• AEC認(rèn)證

英飛凌（Infineon）

調(diào)試器, XMC套件

RS 庫(kù)存編號(hào)：111-3727

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• 支持的處理器：Cortex-M芯XMC微控制器
• 10引腳Cortex調(diào)試連接器，用于XMC4000設(shè)備
• 8引腳XMC MCU調(diào)試連接器，用于 XMC1000/4000設(shè)備
• Micro-AB USB連接器，用于主機(jī)PC
• 調(diào)試和通信狀態(tài)LED
• 電源：+2.5至+5.5V直流（從目標(biāo)），+5V直流（從USB 連接）
• 尺寸：62x33mm（不包括電纜）

英飛凌（Infineon）

N溝道增強(qiáng)型MOS管，OptiMOS 3系列

RS 庫(kù)存編號(hào)：165-6657

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• 在有限空間內(nèi)提供更高的靈活性
• 符合甚至超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求
• 快速切換MOSFET，用于SMPS
• 優(yōu)化技術(shù)，用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
• 符合目標(biāo)應(yīng)用的JEDEC規(guī)格
• N 通道，邏輯電平
• 極低導(dǎo)通電阻 R DS(on) @ VGS=4.5V
• 無(wú)鉛電鍍

英飛凌（Infineon）

PWM控制器

RS 庫(kù)存編號(hào)：273-5340

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• 8引腳，PG-DSO-8封裝，最高113kHz
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
• 無(wú)鉛引線鍍層
• 外部鎖定關(guān)閉啟用功能
• 內(nèi)部PWM前沿模糊
• 內(nèi)置鎖定斷開(kāi)保護(hù)模式
• 自動(dòng)重啟保護(hù)模式，用于過(guò)載
• 在有源爆炸模式下快速負(fù)載跳閘響應(yīng)

英飛凌（Infineon）

高側(cè)開(kāi)關(guān)電源芯片

RS 庫(kù)存編號(hào)：170-2277

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• 高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，帶集成垂直功率FET，可提供嵌入式保護(hù)和診斷功能
• 過(guò)載保護(hù)，電流限制，短路保護(hù)，熱關(guān)閉，過(guò)電壓保護(hù)（包括負(fù)載突卸）
• 電感負(fù)載的快速退磁
• 反向電池保護(hù)
• 欠電壓和過(guò)電壓關(guān)閉，帶自動(dòng)重啟和滯后
• 漏極開(kāi)路診斷輸出
• 接通狀態(tài)下的開(kāi)路負(fù)載檢測(cè)
• CMOS兼容輸入
• 接地?fù)p耗Vbb損耗保護(hù)
• 靜電放電（ESD）保護(hù)

英飛凌（Infineon）

IGBT模塊

RS 庫(kù)存編號(hào)：838-6951

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

• 低開(kāi)關(guān)損耗
• 低VCEsat
• 溝槽柵IGBT 3
• VCEsat帶正溫度系數(shù)
• 低熱阻的三氧化二鋁（Al2O3襯底）
• 緊湊型設(shè)計(jì)
• PressFIT壓接技術(shù)
• 集成的安裝夾使安裝堅(jiān)固

審核編輯：黃飛