在過去的幾年里，200mm設備在市場上一直供不應求，但現在整個300mm供應鏈也出現了問題。傳統上，300毫米設備的交貨時間為三到六個月，而特定系統的交貨時間更長。然而，如今，采購極紫外(EUV)光刻掃描儀可能需要一年或更長時間。沉積、蝕刻和其他系統的交付周期也很長。

掩模/晶圓問題

如今，許多芯片制造商在全球擁有并經營著大量200毫米和300毫米晶圓廠。200mm晶圓廠用于制造基于成熟工藝的芯片，范圍在350nm到90nm之間。

當今先進的晶圓廠是300mm設施，用于加工7nm和5nm的芯片。這些晶圓廠還在65nm到28nm的成熟節點制造設備。

在基本光掩模流程中，IC供應商使用各種EDA軟件工具設計芯片。然后，芯片設計被轉換成文件格式，并運送給光掩模供應商。在光掩模設施中，使用各種設備將該文件轉換為掩模。

光掩模是IC設計的主模板。光掩模一般生產兩種類型的掩模——光學和 EUV。在工業中使用多年，光學導向光掩模由玻璃基板上的不透明鉻層組成。

圖 1：EUV 掩模制造步驟

EUV 短缺

一旦生產出硅晶圓，它們就會被運往芯片制造商，然后由芯片制造商在晶圓廠將這些晶圓加工成芯片。光掩模制造商還將成品掩模運送到晶圓廠。

在晶圓廠制造芯片很復雜。每種芯片類型都遵循不同的工藝流程。一般來說，要制造芯片，第一步是在硅片上沉積一層二氧化硅，然后再沉積一層氮化物。然后將晶圓插入稱為涂布機/顯影機的系統中。在該系統中，光刻膠（一種光敏材料）被澆注到晶圓上。晶圓以高速旋轉，導致抗蝕劑覆蓋晶圓。

多年來，芯片制造商使用基于光學的光刻系統來對芯片上的特征進行圖案化。當今先進的光學掃描儀使用193nm波長來對芯片上較小的特征進行圖案化。

使用多重圖案化，芯片制造商將193nm浸沒式光刻技術擴展到7nm。但在今天的5nm工藝節點，使用這些技術太復雜了。這就是EUV的用武之地，EUV 簡化了流程，使芯片制造商能夠在7nm及更遠的節點上對困難的功能進行圖案化。

結論

沒有跡象表明200毫米和300毫米晶圓廠對芯片的需求正在放緩。也就是說，動態可能會在一夜之間發生變化。

審核編輯 黃宇