過(guò)去幾十年里，半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展，芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成而形成，面臨著封裝特性提升較慢，無(wú)法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。

近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開(kāi)。期間，“碳化功率器件及其封裝技術(shù)”分會(huì)上，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)王來(lái)利教授做了“碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了最新研究進(jìn)展。

研究提出了磁耦合精確調(diào)控多芯片并聯(lián)電熱均衡方法，提出了控制磁場(chǎng)耦合度的多芯片電熱應(yīng)力調(diào)控方法，解決了多芯片不均衡性電熱應(yīng)力調(diào)控難題，為提高寬禁帶器件容量與可靠性建立了基礎(chǔ)。

首次獲得了碳化硅半導(dǎo)體在550℃高溫的動(dòng)靜態(tài)特性，掌握了碳化硅極寬溫度范圍內(nèi)關(guān)鍵特征參數(shù)變化規(guī)律，并基于高溫器件實(shí)現(xiàn)了環(huán)境溫度265℃的高溫變換器。

審核編輯：劉清