近日，山東華光光電子股份有限公司兩項新技術取得突破，經山東電子學會組織專家進行鑒定，評價為國際先進水平。

01.

十萬瓦級面陣用808nm激光器巴條研發及產業化

本項目攻克了高應變量子阱外延結構設計、多層應力補償復合金屬結構設計、低位錯腔面鈍化等關鍵技術，研制的高功率巴條可用于十萬瓦級面陣模塊，實現單巴條輸出功率提升74%、效率提升8%，具有大脈沖能量和高峰值功率，助力國內高端十萬瓦級以上半導體激光泵源的性能迭代。

經山東電子學會科技成果評價，專家一致認為該成果在芯片波導結構、電極結構以及腔面鈍化結構方面具有創新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

高光反饋抗性880nm激光器芯片關鍵技術及產業化

02.

本項目突破了低應力高臺階覆蓋度電極技術，設計了多層梯度金屬結構，使芯片側向梯度溫度降低，減少發光區與周圍溫度差，降低應力對發光區的影響，輸出功率 由15W提升到18W ，提升了20%，研發出的高功率880nm激光器芯片與國際標桿廠商產品水平相當。

經山東電子學會科技成果評價，專家一致認為成果在量子阱外延結構、應力補償以及腔面鈍化方面具有創新性，輸出功率和電光轉換效率達到了國際先進水平。

這兩項新技術的發布進一步體現了華光光電在半導體激光器泵源領域的技術實力和創新能力，華光光電將以此為契機，持續加強重要技術創新，不斷提升企業核心競爭力，以半導體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國際先進的光電子產品提供商和領先的解決方案服務商。

這兩項新技術的發布進一步體現了華光光電在半導體激光器泵源領域的技術實力和創新能力，華光光電將以此為契機，持續加強重要技術創新，不斷提升企業核心競爭力，以半導體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國際先進的光電子產品提供商和領先的解決方案服務商。

審核編輯：劉清