半導體行業的發展離不開行業的共識，而行業的共識往往體現在行業所公認的路線圖里面。在上世紀末，美國的半導體工業協會SIA聯合歐洲和亞洲的半導體行業，開始發布大名鼎鼎的國際半導體技術路線圖（ITRS）。ITRS主要的貢獻是通過協調全球的半導體行業，發布了在21世紀初十多年中的芯片技術路線圖，包括特征尺寸，功率密度，邏輯門密度等等。到了2015年，隨著傳統基于2D CMOS特征尺寸縮小的摩爾定律的發展到了尾聲，ITRS也不再更新，因此2015年版本就是ITRS的最后一個版本。在當時，作為ITRS的牽頭方之一，SIA發表聲明將會在未來合適的時候發布新的半導體路線圖。而在上周，SIA和SRC聯合發布了微電子和高級封裝路線圖，作為ITRS的后繼者。

MAPT路線圖分析了未來十年內預期對于半導體行業最重要的驅動應用，其中最重要的包括：

• l數據中心和高性能計算
• l汽車電子
• l物聯網和邊緣計算
• l移動通信
• l生物計算

數字芯片向來是半導體芯片中最核心的品類，其出貨量大，對于半導體芯片工藝的依賴度高，往往是驅動整個半導體行業發展的核心芯片品類；因此在在MAPT路線圖中，對于數字芯片相關的路線圖分析也是最詳實的。

在MAPT中，數字邏輯未來的進步主要靠架構上的進步。MAPT提出主要的進步方向包括：

進一步提升集成度：由于半導體工藝進步在未來十年中對于邏輯密度的提升貢獻有限，為了進一步提升集成度，主要需要依靠高級封裝技術。高級封裝技術可以用不同的堆疊方式（2.5D以及3D）把不同的芯片粒（chiplet）集成在同一個封裝里并且可以解決先進工藝的良率問題，因此可望在未來中高端芯片中得到更廣泛的應用。

降低數據移動開銷：隨著未來芯片集成度越來愈高（即邏輯越來越復雜），數據互聯的開銷將會成為芯片性能和能效比的主要瓶頸；例如，根據之前的研究，在10nm節點，高復雜度的SoC中數據互聯的功耗開銷已經占到整個芯片功耗的90%左右，而未來隨著復雜度和集成度進一步提升，數據互聯將會越來越成為瓶頸。為了解決這個問題，一方面需要使用高級封裝技術——例如，通過3D堆疊，互聯的物理距離會大大降低（因為可以垂直走線），從而降低功耗；另一個重點則是通過新的架構，例如近內存計算和存內計算，來降低開銷；最后，模擬和混合信號電路的創新也能降低數據移動的開銷。

正如MAPT在數字邏輯章節的分析，高級封裝將成為未來半導體的主旋律。

例如，在未來五年中，一個系統中芯片粒的數量將從今天的4-10提升到10-30（提升3倍），預計在十年的時間內芯片粒數量會提升更多；在內存角度，芯片粒將會實現新的內存架構，從而改善內存墻問題，到時候希望內存的容量、速度和功耗將不再成為整個系統的瓶頸；在互聯方面，未來10年高級封裝的互聯線數量將從今天的1000-2000上升到8000，另外使用新的IO接口技術（例如PAM8，以及高密度WDM光學互聯）來進一步提升數據帶寬并降低數據移動開銷。

這些需求具體對應到高級封裝的技術演進，MAPT在高級封裝章節提出了未來十年的技術演進方向。

我們認為，在高級封裝未來十年中，最關鍵的技術演進包括：

進一步提升IO密度：將芯片粒之間的bump（焊球）間距從100微米降低到25微米，從而將IO密度提升16倍。

進一步提升IO互聯線密度：這里的互聯線密度包括在晶圓正面將今天的2-3層線間距大于1微米的頂層銅互聯發展到7層線間距小于1微米的銅互聯，晶圓背面的RDL層互聯從一層上升到三層互聯并且將線間距從10微米降低到2微米；以及在晶圓間的互聯線間距從5微米降低到1微米，即互聯線密度提升25倍。

革新集成鍵合技術：從目前基于焊接（solder）的鍵合集成技術逐漸改進到die-to-wafer以及die-to-die的鍵合。新的集成鍵合技術將是實現高密度IO的核心技術。

模擬和混合信號電路在未來十年的半導體路線圖中也扮演了重要角色，因為模擬和混合信號電路仍將是重要應用的賦能技術。

在半導體設計端，EDA/IP和芯片是利潤核心環節。EDA/IP市場規模隨工藝制程演進而提升，全球市場預計將達到215億美元左右。同時，全球半導體IP市場也將持續增長，預計到2027年將達到101億美元。在芯片類型方面，模擬、功率、存儲等因應用不同體現出不同的增長表象。模擬芯片因應用分散而穩步增長，功率芯片因新能源爆發式增長而供不應求，存儲芯片因算力需求而前景廣闊。

下游半導體終端客戶的需求變化直接影響封測行業的技術路線和稼動率。隨著智能手機、數據中心、高性能服務器等應用領域對集成度的要求越來越高，低成本、低功耗、小型化等要求將持續催動Chiplet市場增加。

在路線圖中，我們可以看到GaN和SiC功率電子芯片都會得到長足的發展。對于SiC來說，預計未來10-15年，支持的電壓將從今天的3.3kV拓展到15-25kV，從而為新能源應用提供支持，同時也進一步增加器件載流子移動速率以提升器件的性能（支持更高的開關頻率）；而GaN也在提供高器件性能和開關頻率的同時增加對于高電壓的支持，從今天的650V提升到3.3kV，而除此之外另一個重要的演進方向是進一步提升GaN對于硅基底（GaN on Silicon）的支持，在10年后預計200mm GaN-on-silicon晶圓將成為標準配置，從而進一步降低GaN的成本并且有機會支持更方便的高級封裝集成。

半導體行業于未來依舊延續著廣大的發展舞臺與機緣，以下為數種或許之趨勢：

人工智能和機器學習的廣泛普及將為半導體需求帶來推動。此類技術所需之更為高效、迅疾和穩定之半導體產物，如GPU、TPU等，皆將持續受用。

物聯網之興起將推動半導體需求之蓬勃增長。物聯網所須之各式傳感器、芯片、處理器和通訊設備等半導體產品，隨著其在各領域應用愈趨廣泛，其對半導體之渴求更將擴展。

5G技術之廣泛傳播將引發新的需求與機遇。5G所需之高性能、低功耗、寬帶之芯片和通訊設備，將使半導體行業面對新的成長契機。

可穿戴設備和智能家居市場之擴張將推動半導體需求之蓬勃增加。此類設備所需之微小、低耗、高效半導體產物，如傳感器、微控制器等，皆將因之受益。

環保與可持續發展之要求將引導半導體行業朝著更為綠色、高效之方向前進。綠色半導體技術、新能源材料和可持續制造技術，將為未來半導體行業之重要方向。

總之，半導體行業于未來仍然懷揣著廣大的發展前景，技術創新、市場需求以及環保的可持續性，將共同成為其發展道路上的重要引擎。

審核編輯：黃飛