DCDC轉換器是一種臨時儲存電能的設備,作用是將直流電從一個電壓水平轉換為另一個電壓水平。
尤其在汽車應用里可將動力電池輸出的高壓直流電轉換為低壓直流電,給車內動力轉向、水泵、車燈、空調等低壓用電系統供電。
DCDC轉換器產品圖

隨著電動汽車電池電壓升至800V高壓平臺,1200V的SiCMOSFET有望被廣泛應用于DC-DC轉換器中。
我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導通電阻的國產SiC MOSFET,最大漏源電流56A(Tc= 25°C),工作結溫范圍-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向電容13pF,已在多家頭部客戶批產,性能反饋優異。
除了SiCMOS,我司在DCDC轉換器中還可提供數字隔離器、驅動、通用MOS管、通用運放、TVS等國產器件的選型匹配。
審核編輯:劉清
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
隔離器
+關注
關注
4文章
903瀏覽量
41029 -
直流電
+關注
關注
2文章
449瀏覽量
23261 -
dcdc轉換器
+關注
關注
8文章
227瀏覽量
40663 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3464瀏覽量
52330
原文標題:國產碳化硅MOS推薦----DCDC轉換器
文章出處:【微信號:quanxin100,微信公眾號:全芯時代】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
碳化硅MOS管測試技術及儀器應用(上)
碳化硅(SiC)MOS管作為寬禁帶半導體的核心器件,憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性,在新能源汽車、光伏逆變、工業電源等領域逐步替代傳統硅基IGBT器件。精準的測試技術是挖掘其性能潛力
簡單認識博世碳化硅功率半導體產品
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應商以及
固態變壓器(SST)戰略藍圖與硬件重構:國產碳化硅功率半導體的崛起之路
固態變壓器(SST)戰略藍圖與硬件重構:國產碳化硅功率半導體的崛起之路 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電
合科泰超結MOS管與碳化硅MOS管的區別
在電力電子領域,高壓功率器件的選擇直接影響系統的效率、成本與可靠性。對于工程師來說,超結MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設計中的核心議題,兩者基于不同的材料與結構,在性能、成本與應用場景中各有千秋,如何平衡成為關鍵。
探索碳化硅如何改變能源系統
)、數據中心和電網基礎設施日益增長的需求。相比傳統的硅器件,碳化硅技術更具優勢,尤其是在功率轉換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業的整體影響可帶來更強的盈利能力和可持續性。 來自兩家行業領先半導體
碳化硅器件的應用優勢
碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定,哪怕是在超過300℃的高溫環境下,打破了傳統材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
模塊的可靠性和耐用性。低電感設計:電感值為6.7 nH,有助于降低系統中的電感效應,提高功率轉換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
發表于 06-25 09:13
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC
國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應用
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現象以及功率損耗最小化問題,而驅動電路在這些方面都起著
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
隨著全球對可持續能源的需求不斷增加,能源轉換技術的提升已成為實現低碳經濟的重要一環。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優越的性能,正逐漸成為現代電力電子設備的選擇,特別是在能源轉換領域的應用越來越廣泛。本文將深
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領域展現出顯著優勢,隨著國產碳化硅MOSFET技術、成本及供應鏈都日趨完善,國產
國產碳化硅MOS推薦-DCDC轉換器
評論