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優先將20nm至90nm的晶片國產化?

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2023-11-13 14:45 ? 次閱讀
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半導體行業專家提出建議,認為面臨的挑戰是需要優先考慮將20納米至90納米的晶片國產化。

面對美國對中國芯片行業的制約,中國半導體產業的發展戰略備受關注。據澎湃新聞報道,中芯國際原副總裁、俄羅斯工程院外籍院士李偉在最近的一場半導體行業中小企業創新發展論壇上表示,與其投入大量資金來突破2納米技術,或許更應優先發展國產化的20納米到90納米芯片技術

第十二屆亞太經合組織(APEC)中小企業技術交流暨展覽會由工信部和山東省政府共同主辦,于11月9日至11日在山東青島成功舉行。在半導體行業創新發展論壇上,來自學術界、專家團隊和企業界的多位與會人士就中國半導體產業的困擾和未來發展方向展開了互動和討論。

圖片

李偉強調,在通訊、人工智能等一些特定領域,才會需要使用2nm的芯片。實際上,國內大部分民用市場市場的需求已經可以通過使用28nm的芯片來滿足。

據李偉稱,“我國集成電路技術整體上落后于國際水平超過五年,制造設備和材料(尤其是光刻膠)是中國芯片產業的最大短板。目前,相關材料、設備和設計軟件等主要依賴進口,只有大約百分之十的設備可以國產。

李偉認為,中國的半導體行業正面臨一系列挑戰。首先,國外先進技術和設備對華出口受到一定限制。其次,國內企業之間的競爭也日益激烈。與此同時,國內不僅缺乏自主核心關鍵技術,也缺乏高端人才團隊。另外,長期發展的動力和規劃也是一個問題。

對于如何掌握晶片產業的主動權,李偉提出了五項建議:

一、瞄準核心領域,解決自主可控的問題;

二、充分利用中國內地市場的優勢,開發專用晶片;

三、根據自身能力,尋找差異化的發展路徑;

四、保持聚焦,不散亂發展;

五、通過推進第三代和第四代半導體等技術的突破,實現多個關鍵點的進展。

在該論壇上,許多業者都提到了中國的技術仍然有所不足。一位功率半導體器件公司的負責人表示,當前在新能源領域,功率半導體器件正在迅速發展,但在第三代半導體材料的應用方面,國內的技術儲備還不夠充足。他說:“國外已經發展到第7代、第8代了,而我們還停留在第4代左右。”

然而,美國的制裁措施確實給中國大陸的廠商帶來了困擾。一家從事刻蝕機和離子注入機研制的企業負責人表示,由于國際貿易保護主義的抬頭,該企業在引進國際技術和進行國際并購時受到了一定的影響。另一家從事集成電路元器件制造的企業負責人指出,中國在某些零部件、上游原材料和電子元器件的國產配套能力仍較弱,甚至一些特殊用途的不銹鋼在國內也沒有特別成熟的解決方案。

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