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上海微系統(tǒng)所在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-10-20 14:30 ? 次閱讀
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近日,上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展,制備出了國內(nèi)第一片300 mm 射頻RF)SOI晶圓。團(tuán)隊(duì)基于集成電路材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室300 mm SOI研發(fā)平臺,依次解決了300 mm RF-SOI晶圓所需的低氧高阻晶體制備、低應(yīng)力高電阻率多晶硅薄膜沉積、非接觸式平坦化等諸多核心技術(shù)難題,實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)300mm SOI制造技術(shù)從無到有的重大突破。

為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底,團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質(zhì)模型,并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對硅熔體內(nèi)對流和傳熱傳質(zhì)的影響機(jī)制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運(yùn)機(jī)制,相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級期刊《Crystal growth & design》(23, 4480–4490, 2023)、《CrystEngComm》(25, 3493–3500, 2023, 封面文章)上。基于此模擬結(jié)果指導(dǎo)拉晶工藝,最終成功制備出了適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底,氧含量小于5 ppma,電阻率大于5000 ohm.cm,相關(guān)成果發(fā)表于《Applied Physics Letters》(122, 112102, 2023)、《Applied Physics Express》(16, 031003, 2023)。

多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù),晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系;此外,由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu),使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。團(tuán)隊(duì)為制造適用于300 mm RF-SOI晶圓的多晶硅層找到了合適的工藝窗口,實(shí)現(xiàn)了多晶硅層厚度、晶粒尺寸、晶向和應(yīng)力的人工調(diào)節(jié),相關(guān)成果發(fā)表于《Semiconductor Science and Technology》(38, 095002, 2023)、《ECS Journal of Solid State Science and Technology》(7, P35-P37, 2018)、《Chinese Physics Letters》(34, 068101, 2017; 35, 047302, 2018)等期刊上。圖1(a)展示了沉積的多晶硅薄膜表面SEM圖像;圖1(b)展示了多晶硅剖面TEM結(jié)構(gòu);圖1(c)為多晶硅薄膜及襯底縱向電阻率分布。

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圖1. (a) 多晶硅薄膜表面SEM圖片;(b) 多晶硅薄膜近表面電阻率分布;

圖 (c) 多晶硅薄膜及襯底縱向電阻率分布

在300 mm RF-SOI晶圓制備過程中,自主開發(fā)了基于高溫?zé)崽幚淼姆墙佑|式平坦化工藝,實(shí)現(xiàn)了SOI晶圓原子級表面平坦化。圖2(a)展示了團(tuán)隊(duì)研制的國內(nèi)第一片300 mm RF-SOI晶圓;圖2(b)為RF-SOI晶圓剖面TEM照片,其擁有含多晶硅電荷俘獲層在內(nèi)的四層結(jié)構(gòu);圖2(c)所示,最終RF-SOI晶圓頂層硅厚度中心值為75nm;圖2(d)所示,RF-SOI晶圓表面粗糙度小于0.2 nm。

wKgZomUyHm-AejhVAAUxlul0CNE039.png

圖2. (a) 國內(nèi)第一片300 mm RF-SOI晶圓;(b) RF-SOI晶圓剖面TEM照片;(c) RF-SOI晶圓頂層硅厚度分布;(d) RF-SOI晶圓表面AFM圖

目前,RF-SOI晶圓,已經(jīng)成為射頻應(yīng)用的主流襯底材料,占據(jù)開關(guān)、低噪放和調(diào)諧器等射頻前端芯片90%以上的市場份額。隨著5G網(wǎng)絡(luò)的全面鋪開,移動終端對射頻模塊的需求持續(xù)增加,射頻前端芯片制造工藝正在從200 mm到300mm RF-SOI過渡,借此機(jī)會,國內(nèi)主流集成電路制造企業(yè)也在積極拓展300mm RF-SOI工藝代工能力。因此,300 mm RF-SOI晶圓的自主制備將有力推動國內(nèi)RF-SOI芯片設(shè)計(jì)、代工以及封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同快速發(fā)展,并為國內(nèi)SOI晶圓的供應(yīng)安全提供堅(jiān)實(shí)的保障。

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