中芯國際近日新增多條專利信息，其中一條名稱為“NAND閃存器件及其形成方法”，公開號為CN113078099A，法律狀態顯示該專利已獲授權。

專利摘要顯示，一種NAND閃存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏摻雜區之后，刻蝕減薄第一初始間隙壁結構，使第一初始間隙壁結構形成第一間隙壁結構；形成第一間隙壁結構之后，在第一槽中形成底部介質層；形成底部介質層之后，去除第一間隙壁結構，以在底部介層和第一柵極結構之間、以及底部介質層和第二柵極結構之間形成第一開口；在第一開口的內壁和第一開口上、以及底部介質層上形成頂部介質層，第一槽中底部介質層分別和第一柵極結構和第二柵極結構之間具有第一空隙，第一空隙被頂部介質層的材料包裹；形成貫穿頂部介質層和底部介質層的第一導電連接結構，第一導電連接結構與第一源漏摻雜區電學連接。上述的方案，可以提高NAND閃存器件的成品率。

中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優點，已成為廣泛使用在閃存上的結構。”目前主要用于數碼相機等的閃存卡和mp3播放器。其中，現有的nand閃存部件是將空空間作為空氣側壁使用，與側壁材料相比，空氣的每個常數（每個常數）較小，因此設置空氣側壁可以減少nand閃存部件相鄰線之間的電容器。通過這種方式，可以改善nand閃存配件在程序設計過程中出現混亂問題和nand閃存配件反復讀寫的能力。但據悉，三星電子認為，nand閃存元件的性能仍應得到提高，因此提交了該專利。