英特爾最近宣布，開始使用極紫外線標記（euv）技術大量生產（hvm）英特爾4工程節點。metlake英特爾core ultra處理器將以這種方式于12月14日上市。

作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產的制程節點，intel 4大大提高了性能、能源效率和晶體管密度。

此前，英特爾4的性能與三星電子的3納米、臺積電的3納米相似。

據英特爾中國透露，極紫外光刻技術正在驅動著算力主導著ai、先進移動網絡、自動駕駛及新數據中心和云應用軟件等計算需求最高的應用軟件。另外，該技術將對英特爾到2025年為止的4年時間里完成5個工程節點，重新找回公正領導能力起到重要作用。目前，intel 7和intel 4已經實現大規模批量生產。英特爾3正在按計劃推進到2023年末。intel 20a和intel 18a計劃在2024年使用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。2024年上半年，將推出采用英特爾3制程節點工程，具備高能效的能效核（E-core）至強處理器Sierra Forest，具備高性能的性能核（P-core）至強處理器Granite Rapids也將緊隨其后推出。