據路透社報道，三星電子第三季度利潤預計將同比下降 80%，因為全球芯片供應過剩的持續影響導致這家韓國科技巨頭的搖錢樹業務巨額虧損。

全球最大的存儲芯片、智能手機和電視制造商將于周三公布第三季度初步盈利結果。

根據倫敦證交所 19 名分析師的 SmartEstimate 預測，7 月至 9 月季度的營業利潤可能降至 2.1 萬億韓元（15.6 億美元），其中偏重于那些更準確的分析師。

相比之下，去年第二季度的營業利潤為 10.85 萬億韓元。

這一逆轉是因為，在內存芯片價格跌至谷底并沒有像一些人預測的那樣快回升后，傳統上最大的盈利部門——芯片部門可能報告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。

分析師表示，三星削減芯片產量也損害了規模經濟，提高了芯片制造成本。

繼四月份首次宣布減產后，分析師表示，三星在第三季度進一步削減產量，以減少庫存，并應對芯片過剩導致數十年來最嚴重的行業衰退。

競爭對手美光科技上個月預測季度虧損，引發了人們對該存儲芯片制造商數據中心等終端市場復蘇緩慢的擔憂。

出于對經濟衰退的擔憂，智能手機和個人電腦制造商一直在避免購買新的存儲芯片，而是選擇在幾個月內耗盡現有庫存。

分析師表示，他們的庫存目前已經足夠低，預計需求將在明年初反彈。

KB 證券上月底在一份報告中表示，三星最近收到了一家北美數據中心公司一年來的第一筆服務器內存芯片訂單，這引發了數據中心客戶也將再次開始購買芯片的希望。

對高帶寬內存（HBM）等人工智能中使用的內存芯片的強勁需求仍然是一個亮點，但三星在開發此類芯片和確保人工智能芯片領導者英偉達（NVDA.哦）。

根據五位分析師的平均預測，三星移動業務的營業利潤可能約為 3 萬億韓元，該公司在本季度推出了高端可折疊智能手機，盡管全球智能手機市場低迷，但仍提振了銷量。

二季獲利大減95%，決心再減少記憶體產能

根據三星電子公布的2023 年第二季財報財報，半導體(DS) 部門再次出現4 兆韓圓（約31.2 億美元）虧損，決定下半年再削減DRAM 和NAND Flash 記憶體產量。

韓媒報導，三星公布的第二季合并營收和營業利潤分別為60.01 兆韓圓和6,700 億韓圓，與2022 年同期相較下降22% 和95%；與上季相較，營業利潤略有提升，市場預期虧損逐漸減少。

半導體部門第二季業績略有改善，虧損從第一季4.58 兆韓圓縮小至4.36 兆韓圓。行動和消費電子部門表現較杰出，創造3.83 兆韓圓利獲利。三星顯示器和哈曼(Harman International Industries) 部門也有較好業績，獲利分別為8,400 億韓圓和2,500 億韓圓。

三星在財報會議說要減產記憶體，下半年下調產量，以加速庫存正常化。DRAM 和NAND Flash 更多生產調整，特別NAND Flash 大幅減產。額外減產計畫將于上一輪減產計畫實施。半導體市場研究人員表示，新減產策略將導致三星記憶體產量比2022 年減少最多20%。另一家南韓記憶體大廠SK 海力士財報會議也宣布，NAND Flash 產品再減產5%~10%。

盡管前景充滿挑戰，三星仍對下半年記憶體市場前景表示樂觀。記憶體業務部門副總裁Kim Jae-joon 表示，記憶體庫存5 月達高峰，之后各供應商調整后水位漸漸下降。減少產能后記憶體價格有可能扭轉趨勢，并出現上漲。

Kim Jae-joon 對高頻寬記憶體(HBM) 成長也充滿信心，2024 年HBM 需求將成長，三星準備確保產能，比2023 年至少增加一倍。三星也準備提高生產力，以滿足下半年額外訂單。

苦盡甘來？

據Digitimes報道，三星電子正在縮減對平澤晶圓P3工廠的投資，因此擴建規模最終可能僅為最初計劃規模的三分之一。由于計劃升級到先進加工節點的設備更換，將伴隨著自然減產，因此可能對市場產生重大影響。

報道指出，平澤P3晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道，三星原計劃將P3晶圓廠的產能增加8萬片DRAM和3萬片NAND晶圓，但現在產能擴張已削減至5萬片DRAM和1萬片NAND晶圓。

得益于這些投入，韓媒Pulse 近日也報導稱，多位消息人士透露，由于NAND 目前價格過低，三星計劃第四季起將NAND Flash 產品的合約價格提高10% 以上，預料最快會是本月的新合約會采用調整后的價格。

從去年下半年起，記憶體產業市況慘淡，三星上半年開始執行減產策略，三星最初在DRAM 實施減產，隨后在下半年大幅漸少NAND 產量，期望透過價格正常化策略扭轉NAND 業務。

目前較早降價的DRAM 領域出現價格反彈，NAND 產品仍存突破空間。三星目標是擴大減產規模，降低供應量，再提高產品價格來尋求反轉氣氛，期望明年第二季實現NAND 盈虧平衡點。

SK 證券研究員Han Dong-hee 認為，三星的第二波減產計畫和獲利優先政策有望帶動記憶體價格反彈。