光伏與儲能是能源電力系統實現能量轉換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達峰碳中和方面發揮顯著作用，碳化硅憑借導通電阻低開關損耗小的優勢，可有效助力光伏與儲能系統，節約能源，推薦使用國產基本半導體芯片第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。

碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和更高的熱導率。這些特性意味著碳化硅器件可以用在高電壓、高開關頻率、高功率密度的場合，基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%；反向傳輸電容Crss降低，能提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

且B2M065120H具有更低的比導通電阻，通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升，且具有非常低的開關損耗。基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發和生產，目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，申請兩百余項發明專利，產品性能達到國際先進水平。

B2M065120H性能參數：

?RDS (on)：65mΩ

?Voltage：1200V

?最高工作結溫：175°C

?封裝：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7

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