據麥姆斯咨詢介紹，砂輪劃片、激光全切等傳統切割方式存在振動沖擊大、切割屑污染、熱應力作用大等問題，常常導致具有懸膜、懸臂梁、微針、微彈簧等敏感結構類型的芯片損壞。激光隱形切割技術通過將脈沖激光在材料內部聚焦，使得材料改性形成切割裂紋，適用于SOI晶圓、鍵合片、硅片、玻璃片、藍寶石片等晶圓切割，是懸膜、懸臂梁等敏感結構類型MEMS器件的最佳切割方式。

激光劃片工藝是一種利用激光能量代替機械力作為切割介質的劃片工藝。激光隱形劃片工藝為激光劃片工藝的一種，其將激光聚光于晶圓內部，在晶圓內部形成改質層，并在完成劃片后通過擴展膠膜等方法將晶圓分割成芯片的切割方法。該工藝原理為工件內部改質，因此可以抑制加工屑的產生，適用于抗污垢性能差的工件；切割過程無振動沖擊，且采用干式加工工藝，無需清洗，適用于抗負荷能力差的芯片；切割道寬度要求低，有助于減小芯片間隔，適用于窄劃片道器件。

圖1 切割效果圖：晶圓厚度250um，激光隱切在晶圓切割道內部產生應力集中區域，斷面圖可清晰看到不同深度位置激光切割改質層痕跡。

圖2 切割效果圖：激光隱切產生的切割屑極少，不污染器件，適用于梳齒結構、表面敏感類器件切割。

圖3 切割效果圖：晶圓厚度650um，切割道清晰，且無邊緣切割毛刺，可用于更緊密的器件排列切割。

寧波啟樸芯微系統技術有限公司擁有專業的激光隱形切割設備和技術解決方案，提供硅片、玻璃片、SOI、鍵合片等晶圓激光隱形切割技術服務。

工藝指標

● 加工范圍：8英寸及以下；

●切割線寬：<3um；

●崩邊范圍：<5um；

●切割道預留寬度：>80um；

●晶圓厚度：50um～1000um；

●切割材質：硅、SOI、玻璃、石英、藍寶石、鍵合片等。

審核編輯：劉清