Capability與Yaskawa Electric Corporation合作，充分發揮Transphorm常關平臺的根本優勢

GaN功率半導體代表下一代電力系統的未來，此領域的領導企業Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）宣布，該公司借助專利技術在GaN功率晶體管上演示出高達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是有記錄以來首次實現此類成就，標志著整個行業的一個重要里程碑。它證明了Transphorm GaN有能力滿足堅固的功率逆變器所需的短路能力，例如伺服電機、工業電機和傳統上由硅IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET供電的汽車動力系統等。在未來5年內，GaN TAM將超過30億美元。

此次演示開發得到Yaskawa Electric Corporation的大力支持。Yaskawa Electric Corporation是Transphorm的長期戰略合作伙伴，也是中低電壓驅動器、伺服系統、機器控制器和工業機器人領域的全球領導企業。這使得GaN成為伺服系統極具吸引力的功率轉換技術，因為與現有解決方案相比，它的效率更高、體積更小。要做到這一點，GaN必須通過嚴格的穩健性測試，其中短路生存能力是難度最大的一項。出現短路故障時，設備要在高電流和高電壓的極端條件下運行。系統可能需要幾微秒的時間來檢測故障并關閉操作。在此期間，設備必須能夠自行承受故障。

Yaskawa企業技術部基礎研發管理部經理Motoshige Maeda表示：“如果功率半導體器件無法承受短路事件，系統本身可能失效。業界普遍認為GaN功率晶體管無法滿足像我們這樣的重載電力應用所需的短路要求。在與Transphorm合作多年后，我們認為這種看法缺乏依據，我們的判斷在今天得到證明。我們對該團隊取得的成就感到振奮，并期待展示我們的設計能從這種新GaN功能受益的具體方式。”

短路技術已經在新設計的15 mΩ 650 V GaN器件上進行了演示。值得注意的是，該設備在50kHz的硬切換條件下達到99.2%的峰值效率和12kW的最大功率。該裝置不僅性能優異，而且可靠性很高，并能滿足高溫高壓應力要求。

Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra表示：“標準的GaN器件只能承受百分之幾納秒的短路，這對故障檢測和安全關閉過短。但憑借級聯架構和關鍵專利技術，我們能夠在不使用額外外部組件的情況下實現長達5微秒的短路耐受時間，從而保持了低成本和高性能。我們了解當今對高功率、高性能逆變器系統的需求。我們長期重視創新工作，并能自豪地說，創新經驗幫助我們將GaN提升到更高水平。這再一次證明Transphorm在高壓GaN穩健性和可靠性方面處于全球領先地位，并會促進電機驅動和其他高功率系統的GaN的變革。“

有關解釋SCWT成就的完整描述、演示分析等預計將在明年的大型電力電子會議上發表。

關于 Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN革命的全球領導者。該公司設計和制造用于高壓功率轉換應用的高性能和高可靠性GaN半導體。Transphorm擁有最大的功率GaN IP組合之一，并擁有1000多項自有或許可的專利。公司生產出業界首個符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓GaN半導體器件。該公司的垂直集成設備商業模式允許在以下每個開發階段進行創新：設計、制造、設備和應用支持。Transphorm的創新科技使電力電子產品超越了硅的限制，實現了99%以上的效率、增加了50%的功率密度并減少了20%的系統成本。Transphorm總部位于加利福尼亞州戈利塔，并且在戈利塔和日本的會津設有制造業務。若要了解更多信息，請訪問www.transphormusa.com請在推特@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

關于Yaskawa Electric Corporation

Yaskawa Electric位于日本北九州，是一家專注于運動控制、機器人和系統工程的核心技術領域的世界領先級提供商。Yaskawa Electric成立于1915年，100年來一直為客戶提供卓越的體驗。該公司專注于機電一體化解決方案，已在全球范圍內運送了超過2000萬臺交流驅動器、1500萬臺伺服電機和30萬臺機器人。有關更多信息，請訪問www.yaskawa.co.jp。