近日，氮化鎵行業新增了4個項目，涉及單晶襯底、器件等環節。

臺灣投6.5億建GaN產線

7月6日，據臺媒消息，中國臺灣經濟部近日宣布，將斥資28億新臺幣（約6.48億人民幣）投資一家晶圓代工廠，在新竹科學園區增設氮化鎵器件及砷化鎵器件自動化產線。

據悉，該晶圓代工廠具備成熟的硅基半導體代工經驗，并致力于開辟化合物半導體產業的新布局，但目前未披露該代工廠的更多信息。

此外，該GaN與GaAs的產線建設，還將在廠房屋頂裝置太陽能板，有效提升綠電使用比例，逐步落實減碳排。

珠海新增GaN襯底項目

6月29日，珠海市工業和信息化局公布了2023年“創客廣東”珠海市中小企業創新創業大賽初賽評審結果，其中入圍的包括一個GaN項目。

根據公告，珠海方唯成半導體主導的“氮化鎵自支撐襯底項目”成功入圍復賽。目前該項目還未披露更多信息，“行家說三代半”將持續跟進該項目進展，敬請關注。

企查查顯示，方唯成半導體成立于2022年4月，為珠海經濟特區方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。

“行家說三代半”發現，今年5月，方源公司還對外新增投資濱州鎵元新材料有限公司（持股比例 20%）。鎵元新材料旗下有一個金屬鎵項目——

鎵元新材料已租用匯宏新材料的40畝土地，投資1.5億元建設氧化鋁原礦提取鎵元素項目。目前該項目已落戶，達產后將年產120噸金屬鎵。

GaN器件研究院已簽約

6月26日，據“西電廣州第三代半導體創新中心”消息，西安電子科技大學廣州研究院與新加坡ICCT合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術研究中心”項目在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上成功簽約。

據悉，該項目將圍繞第三代半導體射頻器件、電力電子器件等產業需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術研發能力為目標，聚力開發滿足產業前沿需求的先進封裝技術，推進國內領先性能的第三代半導體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進程。

ICCT于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導體封裝材料和封裝技術服務的企業，客戶包括德州儀器、恩智浦、意法半導體以及羅姆等。

印度GaN中心安裝新設備

7月3日，印度科學研究所 (IISc) 正在建設 GaN 中心項目，為此訂購了牛津儀器的全套等離子體處理解決方案——包括原子層蝕刻 (ALE)、電感耦合等離子體 (ICP) 蝕刻模塊、等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD)。

據悉，這套氮化鎵等離子體加工解決方案將用于開發下一代 GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高頻功率電子器件和射頻器件，以提供更好的效率和性能。

審核編輯：劉清