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存儲器

RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為0000 0000h到FFFF FFFFh，其中包含程序、數據和外部存儲器總線。該系列的某些產品包括一個SDRAM控制器，可利用該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數據存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設I/O寄存器、程序ROM、數據閃存和外部存儲器區域。

圖16. RA6M3存儲器映射

8.1 SRAM

RA6 MCU提供帶奇偶校驗位或ECC（糾錯碼）的片上高速SRAM模塊。SRAM0的前32KB區域受ECC控制。奇偶校驗在其他區域執行。下表列出了SRAM規范。SRAM模塊的數量和容量因器件而異。有關詳細信息，請參見《硬件用戶手冊》。

圖17. RA6M3 SRAM規范示例

8.2 待機SRAM

RA6 MCU提供了一個片上SRAM，支持在深度軟件待機模式下保留數據。下表列出了備用SRAM規范。

在深度軟件待機模式下，待機SRAM的電源由DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位使能。如果DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位設置為00b，則將在深度軟件待機模式下保留待機SRAM中的數據。有關DPSBYCR.DEEPCUT[1:0]位的詳細信息，請參見后文第11節“低功耗模式”。

圖18. RA6M3待機SRAM規范示例

Renesas FSP中的LPM（低功耗模式）驅動程序提供了一個用于切斷或保持待機SRAM電源的選項，如下圖所示。仍然需要調用LPM驅動程序的API才能將所選設置寫入MCU寄存器。

圖19. 使用Renesas FSP配置器使能/禁用待機SRAM的電源

8.3 外設I/O寄存器

外設I/O寄存器塊出現在存儲器映射中的不同位置，具體取決于器件和當前的工作模式。大多數外設I/O寄存器占用的地址范圍為4000 0000h到400F FFFFh。但是，位置和大小可能會因器件而異。有關詳細信息，請參見《硬件用戶手冊》。有關詳細信息，可參見“I/O寄存器”附錄，也可參見每個外設功能的寄存器說明。該區域包含在所有工作模式下始終可用的寄存器。用于控制訪問閃存的閃存I/O寄存器占據兩個區域，即407E 0000h至407E FFFFh和407F C000h至407F FFFFh。

Renesas FSP包含采用CMSIS數據結構的C語言頭文件，這些文件將特定器件的所有外設I/O寄存器映射到易于訪問的I/O數據結構。

未完待續