碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。

近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體、揚州揚杰等）；模塊類（嘉興斯達、南京銀茂、中車永電、西安衛光、湖北臺基、寧波達新等）；設計類（青島佳恩、無錫紫光、上海陸芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等）；代工類（上海華虹、蕪湖啟迪、深圳方正微、中芯集成電路等）。

目前常用的碳化硅功率半導體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導體場效應管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件，開通關斷速度較快，對柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結構中的柵氧層缺陷數量較多，致使碳化硅mosfet器件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高，限制了其商業化發展。為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。

SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態、動態、可靠性、極限能力測試等，其中：
（1）靜態測試：通過測試能夠直觀反映SiC器件的電學基本性能，可簡單評估器件的性能優劣。
各種靜態參數為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據、同時在功率器件檢測維修中發揮了至關重要的作用。小編推薦一款SiC靜態參數測試系統ENJ2005-C，該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的靜態參數，系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。

（2）動態測試：主要測試SiC器件在開通關斷過程中的性能。
通常我們希望的功率半導體器件的開關速度盡可能得高、開關過程段、損耗小。但是在實際應用中，影響開關特性的參數有很多，如續流二極管的反向恢復參數，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對于此類參數的測試，變得尤為重要。開關特性決定裝置的開關損耗、功率密度、器件應力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準確的測量功率半導體器件的開關性能具有極其重要的意義。小編推薦一款SiC動態參數測試系統EN-1230A，該設備可測試各類型Si·二極管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二極管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的動態參數，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯等效電阻、雪崩耐量等。

半導體IGBT（動態&靜態）測試系統

（3）可靠性測試：考量SiC器件是否達到應用標準，是商業化應用的關鍵。
半導體功率器件廠家在產品定型前都會做一系列的可靠性試驗，以確保產品的長期耐久性能。

（4）極限能力測試：如浪涌電流測試，雪崩能量測試
浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。

雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量。推薦ENX2020A雪崩能量測試系統，能夠準確快速的測試出SiC·二極管、SiC·MOSFET等半導體器件的雪崩耐量。

北京漢通達科技主要業務為給國內用戶提供通用的、先進國外測試測量設備和整體解決方案，產品包括多種總線形式（臺式/GPIB、VXI、PXI/PXIe、PCI/PCIe、LXI等）的測試硬件、相關軟件、海量互聯接口等。經過二十年的發展，公司產品輻射全世界二十多個品牌，種類超過1000種。值得一提的是，我公司自主研發的BMS測試產品、芯片測試產品代表了行業一線水平。