11.4.1 光伏電源逆變器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
303文章
5160瀏覽量
216573 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52345
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
碳化硅MOS管測試技術(shù)及儀器應(yīng)用（上）
碳化硅（SiC）MOS管作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心器件，憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性，在新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域逐步替代傳
軌道級能源革命：太空太陽能光伏逆變器技術(shù)演進(jìn)與碳化硅（SiC）器件的天然適配性
軌道級能源革命：太空太陽能光伏逆變器技術(shù)演進(jìn)與碳化硅（SiC）器件的天然適配性 —— 以基本半導(dǎo)
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告
傾佳電子光伏與儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)功率半導(dǎo)體分立器件從IGBT向碳化硅MOSFET轉(zhuǎn)型的深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)
高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三
發(fā)表于 10-11 15:32
?38次下載
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
的專利申請量就增長了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破，這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光
傾佳電子：SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng)，引領(lǐng)能效革命
的核心“調(diào)度官”，負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲(chǔ)能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動(dòng)。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅（SiC）MOSFE
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能
面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
、工業(yè)級及汽車級碳化硅功率模塊等多款新品，為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)帶來了更高效可靠的能源轉(zhuǎn)換解決方案。
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”
蔓延，國產(chǎn)碳化硅逆變焊機(jī)或重蹈光伏逆變器早期“價(jià)格戰(zhàn)自毀”覆轍，最終淪為技術(shù)史上的失敗案例。唯有通過強(qiáng)制可靠性標(biāo)準(zhǔn)（如嚴(yán)格的TDDB和HTG
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的
發(fā)表于 03-12 11:31
?1000次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論