選型手冊(cè)：HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件

威兆半導(dǎo)體推出的 HCKD5N65BM2 是一款 650V 高壓高速 IGBT（搭配反并聯(lián)二極管），采用 TO-252 封裝，適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。

一、產(chǎn)品基本信息

器件類型：Trench FS-Trench2 高速 IGBT（含反并聯(lián)二極管）
核心參數(shù)：
- 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（VCES?）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；
- 直流集電極電流（Ic?）：Tc?=25°C時(shí) 10A、Tc?=100°C時(shí) 5A，滿足中功率負(fù)載需求；
- 二極管正向電流（IF?）：Tc?=25°C時(shí) 10A、Tc?=100°C時(shí) 5A，適配續(xù)流場(chǎng)景。

二、核心特性

Trench FS-Trench2 技術(shù)：兼具低導(dǎo)通壓降（VCE(sat)?）與快速開關(guān)特性；
反并聯(lián)快恢復(fù)二極管：開關(guān)損耗低，適配高頻場(chǎng)景；
高結(jié)溫特性：工作結(jié)溫范圍寬，可靠性強(qiáng)；
正溫度系數(shù)：便于多器件并聯(lián)使用。

三、關(guān)鍵額定參數(shù)（Tc?=25°C，除非特殊說明）

參數(shù)	符號(hào)	條件	數(shù)值	單位
集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓	VCES?	-	650	V
直流集電極電流	Ic?	Tc?=25°C	10	A
直流集電極電流	Ic?	Tc?=100°C	5	A
反向重復(fù)峰值電壓	VRRM?	-	650	V
二極管直流正向電流	IF?	Tc?=25°C	10	A
柵極 - 發(fā)射極電壓	VGE?	瞬態(tài)（t?0.1s）	±20	V

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝；
典型應(yīng)用：
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路；
- 風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)；
- 白色家電（如家電設(shè)備的功率控制）。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方數(shù)據(jù)手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版資料為準(zhǔn)。）

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