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【行業資訊】戰略發布,長飛先進揚帆起航

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-05-30 15:43 ? 次閱讀
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來源:長飛先進

2023年5月22日,安徽長飛先進半導體在完成兼并收購一周年之際,于安徽蕪湖隆重舉辦了以“飛揚”為主題的首屆戰略發布會。此次盛會嘉賓云集,蕪湖市政府相關領導、合作伙伴、股東、投資人以及公司員工齊聚一堂,共同見證了這一歷史時刻。

長飛先進董事長莊丹先生致開幕辭

長飛光纖執行董事兼總裁/長飛先進董事長莊丹先生對各位來賓表示了熱烈歡迎,過去一年公司在管理層以及全體員工的不懈努力下,在戰略客戶拓展、融資、產品開發、工藝提升、組織發展、產能布局等方面均實現突破性進展,相關成績的取得離不開安徽省政府、蕪湖市政府、弋江區政府、股東、客戶、投資人和合作伙伴的鼎力支持,對長期支持公司發展的各合作伙伴致以了最誠摯的謝意。董事長莊丹鄭重承諾,一定會堅定不移地繼續發展、壯大長飛先進半導體,朝向更高的目標奮進。

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長飛先進總裁陳重國作戰略發布

公司總裁陳重國回顧了公司并購重組完成后一年來取得的各項成就,成功實現“蝶變”。據介紹,長飛先進引進了近百名擁有半導體國際大廠背景的核心團隊成員,核心團隊成員平均15年以上行業從業經驗,并成功實現由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業務轉型,建立了系統的產品開發、產品管理、業務拓展能力,打造了完整的650v-3300V SiC產品矩陣,實現了從光伏、儲能、充電樁新能源汽車等應用領域的全覆蓋,同時進一步完善了專業的SiC晶圓代工服務體系,為客戶提供更高質量、更全面的產品代工服務。

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會上,總裁陳重國明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發展戰略,致力于成為“世界領先的寬禁帶半導體”公司!

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武漢基地啟動建設

在會上,總裁陳重國宣布位于“武漢·中國光谷”的第二制造基地建設正式啟動,據悉該項目規模達年產36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等,預計2025年建設完成,屆時將成為國內最大的SiC功率半導體制造基地,公司產能規模將居行業絕對領先地位。

目前,該項目的各項準備工作已經就緒,蓄勢待發,他們將按照“高起點規劃、高水平設計、高標準建設”的原則,建設一座全智能化的世界級晶圓制造工廠。

A輪股權融資進展順利

長飛先進良好的發展勢頭引來了投資機構的廣泛關注,據悉,公司正在進行的A輪融資進展順利,融資規模或創國內第三代半導體開始發展以來行業單筆私募融資最高記錄。

研發大樓正式啟用

“飛揚”戰略發布大會當天,長飛先進位于安徽蕪湖的12層研發大樓正式啟用,據介紹這是公司繼上海技術中心后的又一個研發基地。

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志存高遠、腳踏實地,面對未來十年的SiC黃金賽道,長飛先進將依托強大的人才團隊、雄厚的資金實力、充足的產能保障,傾力將公司打造“成為世界領先的寬禁帶半導體公司”。

審核編輯黃宇

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