伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

使用DIC技術測量碳化硅SiC纖維束絲的力學性能—測試過程詳解

科準測控 ? 來源:科準測控 ? 作者:科準測控 ? 2023-04-20 10:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅(SiC)纖維束絲是一種高性能、高溫材料,具有優異的力學性能和高溫穩定性,在航空航天、能源、化工等領域有廣泛的應用前景。為了更好地研究SiC纖維束絲的力學性能,需要進行拉伸測試,以獲取其拉伸性能參數,如彈性模量、屈服強度和斷裂強度等。

然而,傳統的拉伸測試方法對SiC纖維束絲的破壞和損傷較大,難以準確測量其力學性能參數。近年來,隨著數字圖像相關技術的發展,數字圖像相關(DIC)技術被廣泛應用于材料力學性能測試中,特別是在纖維材料力學性能測試中,DIC技術可以準確測量材料表面的形變和位移,實現非接觸、無損傷的力學性能測試。

image.png

因此,本文科準測控小編將介紹DIC技術在SiC纖維束絲拉伸測試中的應用。通過DIC技術對SiC纖維束絲進行非接觸式力學性能測試,可以準確測量其拉伸性能參數,并對SiC纖維束絲的微觀變形和破壞行為進行分析,為進一步優化其力學性能提供理論依據。

一、測試目的

1、利用電子萬能試驗機對碳化硅纖維(SiC)束絲進行拉伸測試,獲取拉伸強度,彈性模量與斷裂點行程應變。

2、利用 DIC 實驗技術方法測試 SiC 纖維絲材料樣件在單軸拉伸測試中的彈性模量。

二、測試相關標準

本文參考了《GB/T 34520.3-2017 連續碳化硅纖維測試方法 第3 部分: 線密度和密度》中關于《GBT1446-2005 纖維增強塑料性能試驗方法總則》的要求

二、測試儀器(碳化硅SiC 纖維束絲拉伸測試)

1、儀器和夾具

A、萬能試驗機

image.png

B、氣動夾具

image.png

C、VIC-2D Gauge 視頻引伸計

image.png

VIC-2D Gauge 系統的測試過程主要分為四個步驟:

散斑制作:在實驗開始前,需要在被測的纖維絲樣件表面制作黑白分明的散斑;硬件設置:合理架設、并調整好相機系統,;

軟件設置:設置系統采集參數,包括采樣幀率、曝光時間、圖像分辨率,Gauge 點的添加,引伸計的添加;

數據計算:試驗機與視頻引伸計同步測量,并計算輸出實驗結果。

2、試驗條件

A、試驗溫度:室溫20°C左右

B、載荷傳感器:5KN (0.5 級)

C、試驗夾具:1KN氣動夾具

D、試驗速率:5mm/min

3、樣品前準備

試樣為已制備完成的碳化硅(Si) 束絲拉伸試樣,截面積為 0.12 mm2,標距 150 mm,束絲截面積為0.12mm2,無需后續處理。

夾具選用1KN 氣動雙推夾具,上下夾具分別夾住碳化硅纖維束絲的保護片部位,隨后開始試驗。

三、測試流程

1、根據《GB/T 34520.3-2017 連續碳化硅纖維測試方法第3 部分: 線密度和密度》中關于《GB/T 1446-2005纖維增強塑料性能試驗方法總則》中測試要求,設定預加載為 10 N,隨后開始以5 mm/min 速度加載直到碳化硅束絲試樣拉斷,測試結束,記錄測得的彈性模量,斷裂點載荷與最大應力。

image.png

2、本次試驗使用 VIC-2D Gauge 模塊對纖維絲樣件拉伸過程進行分析,實時查看樣件應變趨勢曲線;

3、試驗過程試驗機位移控制,單向拉伸樣件直至樣件斷裂,并記錄拉伸過程應力數據。8um 直徑纖維測試兩次,11um 直徑纖維絲測試兩次;

【小總結:綜上所述,使用電子萬能試驗機,配合使用1KN氣動拉伸夾具和VIC-2D Gauge 視頻引伸計能夠對應碳化硅(SiC)纖維束絲拉伸測試的要求,獲取應力·應變曲線和所需的彈性模量,拉伸強度,斷裂點行程應變等力學參數,應用在碳化硅材料的研究與發展中可以發揮重要作用。】

以上就是小編介紹的DIC技術對碳化硅SiC 纖維束絲拉伸測試內容,希望可以給大家帶來幫助!如果您還想了解更多關于碳化硅SiC 纖維束絲的結構特點性能和用途、制備方法和束絲sic纖維增強鋁復合材料界面tem研究等問題,歡迎您關注我們,也可以給我們私信和留言,科準測控技術團隊為您免費解答!

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 測試
    +關注

    關注

    9

    文章

    6308

    瀏覽量

    131562
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3818

    瀏覽量

    69850
  • 試驗機
    +關注

    關注

    0

    文章

    1263

    瀏覽量

    18410
  • dic
    dic
    +關注

    關注

    0

    文章

    12

    瀏覽量

    1129
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    碳化硅MOS管測試技術及儀器應用(上)

    碳化硅SiC)MOS管作為寬禁帶半導體的核心器件,憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性,在新能源汽車、光伏逆變、工業電源等領域逐步替代傳統硅基IGBT器件。精準的測試技術是挖掘其
    的頭像 發表于 02-28 11:51 ?218次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS管<b class='flag-5'>測試</b><b class='flag-5'>技術</b>及儀器應用(上)

    200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進到多薄而不影響性能?這是我們幾十年來一直在追問的問題,同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料
    的頭像 發表于 02-11 15:03 ?282次閱讀
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底厚度與外延厚度的多維度影響

    SiC碳化硅MOSFET微觀動力學綜述:開關瞬態全景解析

    基本半導體B3M系列SiC碳化硅MOSFET微觀動力學綜述:開關瞬態全景解析 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體
    的頭像 發表于 01-12 15:07 ?901次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET微觀動<b class='flag-5'>力學</b>綜述:開關瞬態全景解析

    打線門極電阻,助力SiC碳化硅模塊性能提升

    近年來,在國家相關政策支持下,應用于新能源領域的功率模塊迎來了增長新契機。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能,成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的
    的頭像 發表于 12-31 14:16 ?249次閱讀

    雙脈沖測試技術解析報告:國產碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估

    雙脈沖測試技術解析報告:國產碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功
    的頭像 發表于 12-15 07:48 ?792次閱讀
    雙脈沖<b class='flag-5'>測試</b><b class='flag-5'>技術</b>解析報告:國產<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與<b class='flag-5'>性能</b>評估

    半導體“碳化硅SiC) MOSFET柵極驅動”詳解

    近年來,基于寬禁帶材料的器件技術的不斷發展,碳化硅器件的實際工程應用,受到了越來越廣泛的關注。相較傳統的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導通電阻以及很快的開關速度,與硅IGBT相比,導通損耗
    的頭像 發表于 11-05 08:22 ?9382次閱讀
    半導體“<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET柵極驅動”<b class='flag-5'>詳解</b>

    [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術的未來發展趨勢與創新方向

    一、引言 碳化硅SiC)作為寬禁帶半導體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領域發揮著關鍵作用。總厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅襯底及外延片質量的重要指標,其精確測量對保障
    的頭像 發表于 09-22 09:53 ?1926次閱讀
    [新啟航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度<b class='flag-5'>測量</b><b class='flag-5'>技術</b>的未來發展趨勢與創新方向

    Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用

    碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC)
    的頭像 發表于 09-22 09:31 ?942次閱讀

    【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應及其修正算法

    一、引言 碳化硅SiC)憑借優異的物理化學性能,成為功率半導體器件的核心材料。總厚度偏差(TTV)作為衡量 SiC 襯底質量的關鍵指標,其精確測量
    的頭像 發表于 09-16 13:33 ?2003次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度<b class='flag-5'>測量</b>中的各向異性效應及其修正算法

    【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

    精確的測量技術支持。 引言 碳化硅SiC)作為第三代半導體材料,憑借其優異的物理化學性能,在高功率、高頻電子器件領域展現出巨大的應用潛力。
    的頭像 發表于 08-08 11:38 ?1065次閱讀
    【新啟航】如何解決<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 TTV 厚度<b class='flag-5'>測量</b>中的各向異性干擾問題

    國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC
    的頭像 發表于 06-07 06:17 ?1342次閱讀

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    碳化硅SiC技術的應用中,許多工程師對SiC性能評價存在誤解,尤其是關于“單位面積導通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“
    的頭像 發表于 04-30 18:21 ?1034次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>性能</b>評價的真相

    麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅SiC)項目問題

    作為某新能源車企的電機控制系統工程師,我的日常總繞不開碳化硅SiC)器件的雙脈沖測試。三年前用傳統差分探頭測上管Vgs的經歷堪稱“噩夢”每當開關動作時,屏幕上跳動的±5V震蕩波形,讓我誤以為
    發表于 04-15 14:14

    低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

    蔓延,國產碳化硅逆變焊機或重蹈光伏逆變器早期“價格戰自毀”覆轍,最終淪為技術史上的失敗案例。唯有通過強制可靠性標準(如嚴格的TDDB和HTGB)、建立全生命周期質量追溯體系,并引導資本投向已驗證技術,才能挽救這一戰略產業。 1.
    的頭像 發表于 04-14 07:02 ?977次閱讀
    低劣品質<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的濫用將<b class='flag-5'>SiC</b>逆變焊機直接推向“早衰”

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiC)MOSFET動態測試中的應用

    測試過程中對測量系統的寄生參數提出了更高要求,寄生電感、電容等因素可能影響測試精度,需加以優化和控制。 測試實例 被測器件:CREE C3M0075120K
    發表于 04-08 16:00