隨著應用場景多元化發展，對設備提出了更高的要求，以碳化硅（SiC）、氮化鎵為代表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。因其高熱導性、高擊穿電場強度及高電流密度特點，可應用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機械臂、飛行器等多個工業領域。

關于碳化硅開發，全球知名半導體制造商羅姆一直在努力研發技術，產品不斷推陳出新。在2023年媒體交流會上，羅姆半導體（上海）有限公司市場宣傳課高級經理張嘉煜和羅姆半導體（上海）有限公司技術中心副總經理周勁分別介紹了羅姆公司最新動態以及碳化硅功率器件的相關技術。

羅姆半導體（上海）有限公司市場宣傳課高級經理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進的碳化硅及氮化鎵技術，打造了高效處理電力的功率半導體器件，面向汽車、工業設備等應用場景當中。

羅姆半導體（上海）有限公司技術中心副總經理周勁，羅姆有著20多年的歷史，時間節點從2000年開始研發碳化硅產品，在2010年在全球首家進行碳化硅SBD和MOSFET的量產，之后在2021年發布了第4代的溝槽SiC MOSFET，2023年實現8英寸碳化硅襯底的量產，陸續會推出牽引功率模塊的產品。

據介紹，羅姆第4代SiC MOSFET利用羅姆自有設計技術，進一步改進了雙溝槽結構，從而改善了上述權衡關系，與傳統產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功將導通電阻降低約40%，實現了行業更低的導通電阻驅動電壓。核心有三大優勢，即低損耗、使用簡單和高可靠性。

• 低損耗：第4代新產品對比羅姆的第3代產品，通過降低40%導通阻抗，同樣尺寸芯片，第3代大約是30毫歐，第4代能夠實現18毫歐的導通阻抗降低，導通損耗會同樣降低40%；

• 使用簡便：第3代產品15V驅動和18V驅動，導通阻抗差是30%，也就是說用15V IGBT通用電壓驅動不能實現SiC MOSFET的理想狀態，第4代產品可以在15V情況下滿足一般狀態的碳化硅全負載驅動；
• 高可靠性：采用獨特的器件結構突破了RonA與短路耐受時間（SCWT）的折中限制，實現了比同類產品更高的短路耐受時間。降低RonA后，通常飽和電流會上升，短路時的峰值電流也會上升，短路耐量時間變短，羅姆第4代產品在降低RonA的同時使飽和電流下降，短路時的峰值電流較低，成功延長了短路耐受時間。

當前，羅姆第4代SiC MOSFET的應用包括電動汽車主機逆變器、車載充電器、充電樁、光伏逆變器、數據中心、基站等高電壓和大容量場景，有助于提高電力轉換效率，使設備更加節能。

小結：羅姆一直在不斷提升碳化硅元器件的性能，并以晶圓、芯片、分立產品和模塊等豐富的供應形式投放市場，擴大產能持續推動賦能汽車等行業的低碳技術，實現社會的可持續發展。與此同時，羅姆會提供基礎的應用知識、Spice模型、應用筆記、在線仿真及PCB設計支持等，以助力產品開發，繁榮生態！