国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

如何用埃級(jí)分辨的TERS技術(shù)去追蹤單個(gè)化學(xué)鍵呢

中科院半導(dǎo)體所 ? 來(lái)源:先進(jìn)制造 ? 2023-01-11 17:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

掃描探針顯微術(shù)(Scanning Probe Microscopy, SPM)是一種利用探針對(duì)表面形貌進(jìn)行直接探測(cè)的高分辨結(jié)構(gòu)表征技術(shù),主要包括對(duì)隧穿電流進(jìn)行探測(cè)的掃描隧道顯微鏡(Scanning Tunneling Microscopy, STM)和對(duì)相互作用力進(jìn)行探測(cè)的原子力顯微鏡(Atomic Force Microscopy, AFM)。

SPM技術(shù)能夠在原子尺度下實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面結(jié)構(gòu)的直接觀(guān)察,極大推動(dòng)了納米科技的發(fā)展,因此被廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物等領(lǐng)域的微觀(guān)表征。

然而,針尖作為SPM探測(cè)表面形貌過(guò)程中不可或缺的“主角”,有時(shí)并不“完美”。特別是當(dāng)針尖與分子相互作用較強(qiáng)時(shí),可能會(huì)對(duì)分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響,甚至可能“推動(dòng)”分子。但是,這種相互作用及其誘導(dǎo)的分子移動(dòng)的具體物理化學(xué)機(jī)制尚不十分清楚,因?yàn)榉浅ky以在單個(gè)化學(xué)鍵的層次上來(lái)清晰探究這些現(xiàn)象和過(guò)程。

AFM雖然具有高分辨的分子結(jié)構(gòu)成像能力,但一般缺少足夠的化學(xué)分辨,很難清晰識(shí)別化學(xué)鍵的組成與變化。基于STM的非彈性隧穿電導(dǎo)譜可以在單分子尺度上提供化學(xué)鍵振動(dòng)的信息,進(jìn)而反映分子的結(jié)構(gòu)組成和變化,但該技術(shù)往往僅適用于探測(cè)費(fèi)米能級(jí)附近的低頻振動(dòng)模式。

相比之下,針尖增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù)Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, TERS)作為一種將掃描探針顯微術(shù)與拉曼光譜技術(shù)相結(jié)合的高分辨顯微光譜表征技術(shù),通過(guò)利用金屬針尖與金屬襯底所形成的高度局域的納腔等離激元場(chǎng),可以探測(cè)針尖下方局域化學(xué)基團(tuán)振動(dòng)的拉曼散射信號(hào)。因此,TERS技術(shù)不僅具備納米尺度的空間分辨能力,而且還具有拉曼光譜的分子“指紋”識(shí)別功能。

不過(guò),自2000年TERS技術(shù)被實(shí)驗(yàn)報(bào)道以來(lái),在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)其空間分辨率都局限在幾個(gè)納米的范圍內(nèi),無(wú)法對(duì)單個(gè)分子及其內(nèi)部進(jìn)行更精細(xì)的表征。

直到在超高真空和液氮溫度下實(shí)現(xiàn)了亞分子分辨的單分子拉曼成像,將具有化學(xué)識(shí)別能力的空間分辨率提高到了亞納米水平(~0.5 nm)[Nature 498, 82 (2013)]。這一結(jié)果在一定程度上顛覆了當(dāng)時(shí)人們對(duì)于光學(xué)分辨率和光場(chǎng)限域性的固有認(rèn)知,極大地推動(dòng)了針尖增強(qiáng)技術(shù)和相關(guān)納米光子學(xué)領(lǐng)域的發(fā)展。

在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步發(fā)展了液氦條件下的低溫超高真空針尖增強(qiáng)拉曼光譜系統(tǒng),并通過(guò)對(duì)針尖尖端高度局域的等離激元場(chǎng)的進(jìn)一步精細(xì)調(diào)控,于2019年將檢測(cè)靈敏度和空間分辨率提高到了1.5 ?的單個(gè)化學(xué)鍵識(shí)別水平,進(jìn)而使得探究單個(gè)化學(xué)鍵的變化成為可能 [National Science Review 6, 1169?1175 (2019)]。

利用所研發(fā)的這種埃級(jí)分辨的針尖增強(qiáng)拉曼光譜技術(shù),以表面科學(xué)研究中的明星模型分子一氧化碳(CO)作為研究對(duì)象,通過(guò)跟蹤針尖逼近分子時(shí)的拉曼光譜變化,深入研究了針尖與分子之間的相互作用及其誘導(dǎo)的分子移動(dòng)現(xiàn)象。

發(fā)現(xiàn),當(dāng)針尖逼近Cu(100)表面上的單個(gè)CO分子時(shí),針尖會(huì)誘導(dǎo)C?O化學(xué)鍵發(fā)生弱化,導(dǎo)致分子發(fā)生傾斜和跳躍現(xiàn)象,并揭示了背后的具體物理化學(xué)機(jī)制,展示了該技術(shù)在揭示針尖-分子相互作用以及表面上針尖誘導(dǎo)分子運(yùn)動(dòng)的微觀(guān)機(jī)制方面的強(qiáng)大能力。

948e1ad4-85e2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

TERS結(jié)構(gòu)示意圖和光路圖

圖源:Light: Advanced Manufacturing, 3, 52(2022). Fig 1

研究表明,隨著針尖的逼近,C?O伸縮模式的振動(dòng)頻率總是紅移,表明C?O鍵由于針尖-分子相互作用的增強(qiáng)而不斷變?nèi)酢?

通過(guò)進(jìn)一步分析不同高度下的振動(dòng)Stark效應(yīng)(注:由于電場(chǎng)作用所誘發(fā)的峰位移動(dòng)現(xiàn)象),研究人員發(fā)現(xiàn)當(dāng)納腔中針尖與金屬襯底之間的距離約為390 pm時(shí),Stark調(diào)諧速率迅速下降,表明分子動(dòng)態(tài)偶極取向或大小發(fā)生了變化。考慮到此時(shí)對(duì)應(yīng)的針尖Ag原子與CO分子中O原子的中心距離為3.6 ?,與Ag···O的范德華距離3.65 ?相近。

因此可以認(rèn)為,當(dāng)納腔距離大于390 pm時(shí),針尖與CO分子之間的作用力主要是范德華吸引力,這使得分子始終保持豎直狀態(tài),并且C?O鍵隨著針尖的逼近逐漸被拉長(zhǎng);而當(dāng)納腔距離小于390 pm時(shí),針尖與CO分子之間的泡利排斥力開(kāi)始發(fā)揮作用,這使得CO分子隨著針尖逼近逐漸發(fā)生傾斜,并且分子的傾斜狀態(tài)還會(huì)導(dǎo)致分子與金屬襯底之間的電子態(tài)交疊變大,使得襯底的電子進(jìn)一步轉(zhuǎn)移到CO分子的反鍵軌道,從而導(dǎo)致C?O鍵的進(jìn)一步拉長(zhǎng)和振動(dòng)頻率的紅移現(xiàn)象。

94a49ffc-85e2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

針尖與分子相互作用吸引力和排斥力區(qū)的分子吸附構(gòu)型示意圖

圖源:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué),董振超研究小組提供

為了進(jìn)一步驗(yàn)證CO分子在表面的傾斜情況,研究人員在不同針尖高度下對(duì)CO分子進(jìn)行了埃級(jí)分辨的TERS成像。

成像結(jié)果表明,雖然C?O鍵的拉曼強(qiáng)度成像表現(xiàn)出相對(duì)對(duì)稱(chēng)的空間分布(即針尖的等離激元場(chǎng)分布基本對(duì)稱(chēng)),但是拉曼峰位成像卻顯示出峰位極小值沿著[110]方向傾斜的特征,并且針尖越靠近CO分子,這種傾斜的位移量就越大。考慮到在排斥力區(qū)域,針尖的逼近會(huì)導(dǎo)致CO分子傾斜,并且理論預(yù)測(cè)傾斜方向?yàn)閇110]方向,因此可以根據(jù)TERS峰位成像的中心偏移大小估算出CO分子的相應(yīng)傾斜角度在這種成像條件下最大為24°左右。

94b88774-85e2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

埃級(jí)分辨的TERS成像圖,峰位成像展示了分子傾斜信息

圖源:Light: Advanced Manufacturing, 3, 52(2022). Fig 4

此外,通過(guò)可控的STM針尖下扎操縱并結(jié)合TERS光譜的實(shí)時(shí)監(jiān)控,研究人員還觀(guān)察到了CO分子的橫向跳躍過(guò)程。

如下圖所示,在納腔距離在146 pm和96 pm時(shí),C?O鍵伸縮振動(dòng)的拉曼峰位發(fā)生了兩次跳變,并且伴隨著隧穿電流也出現(xiàn)了兩次跳變,這表明分子發(fā)生了兩次橫向跳躍。

通過(guò)對(duì)比針尖下扎前后的STM圖像,可以發(fā)現(xiàn)CO分子從開(kāi)始的Cu原子頂端位置跳躍到了對(duì)角方向的Cu原子頂端,因此就可能存在有兩種跳躍方式:一種是沿著橋位[100]或[010]方向的連續(xù)兩步跳躍,另一種是通過(guò)空位(Hollow site)沿著[110]方向進(jìn)行跳躍。考慮到前期研究表明CO分子無(wú)法穩(wěn)定吸附在空位(注:這是一個(gè)壽命很短的亞穩(wěn)態(tài)),而實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明中間狀態(tài)至少停留了幾十秒,因此分子應(yīng)該更傾向于第一種橋位跳躍方式。

通過(guò)進(jìn)一步分析TERS光譜的實(shí)時(shí)演化,可以得出整個(gè)跳躍過(guò)程的物理圖像如下:隨著針尖不斷下扎,CO分子不斷傾斜,C?O鍵不斷變長(zhǎng),并與相鄰Cu原子的相互作用也慢慢變強(qiáng),直至分子經(jīng)過(guò)橋位跳躍到最近鄰的Cu原子上。此時(shí)位于最近鄰Cu原子上的CO分子依然受到來(lái)自針尖的相互作用,因此仍處于相對(duì)傾斜的狀態(tài)。

當(dāng)針尖進(jìn)一步逼近時(shí),分子繼續(xù)傾斜直至發(fā)生第二次橋位跳躍,完成了CO分子從初始位置到對(duì)角方向Cu原子的橫向遷移過(guò)程。

94d2191e-85e2-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

TERS光譜監(jiān)測(cè)CO分子的兩步跳躍過(guò)程 圖源:Light: Advanced Manufacturing, 3, 52(2022).Fig 5

該項(xiàng)研究結(jié)果清晰展示了亞納米分辨的TERS技術(shù)在單個(gè)化學(xué)鍵水平上探究針尖與分子之間的相互作用及其誘導(dǎo)的分子表面運(yùn)動(dòng)現(xiàn)象與機(jī)制的強(qiáng)大能力,同時(shí)也為探索表面化學(xué)反應(yīng)和催化的微觀(guān)機(jī)制提供了新的途徑和思路。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 顯微鏡
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    749

    瀏覽量

    25477
  • AFM
    AFM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    62

    瀏覽量

    20815

原文標(biāo)題:追蹤單個(gè)化學(xué)鍵:埃級(jí)分辨的TERS技術(shù)

文章出處:【微信號(hào):bdtdsj,微信公眾號(hào):中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MAX1667:化學(xué)無(wú)關(guān)的2級(jí)智能電池充電器

    MAX1667:化學(xué)無(wú)關(guān)的2級(jí)智能電池充電器 一、引言 在電子設(shè)備的發(fā)展中,電池充電技術(shù)至關(guān)重要。不同化學(xué)類(lèi)型的電池需要合適的充電器來(lái)確保安全、高效地充電。MAX1667作為一款
    的頭像 發(fā)表于 02-26 10:30 ?160次閱讀

    氧化物正極的化學(xué)密碼:電子構(gòu)型、化學(xué)鍵合與化學(xué)反應(yīng)性如何主宰電池性能

    ,歸根結(jié)底受三大內(nèi)在化學(xué)因素的深刻影響:電子構(gòu)型、化學(xué)鍵合和化學(xué)反應(yīng)性。深刻理解這些因素如何調(diào)控氧化還原能、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、離子與電子傳輸以及界面行為,是推動(dòng)下一代電池
    的頭像 發(fā)表于 02-24 18:02 ?301次閱讀
    氧化物正極的<b class='flag-5'>化學(xué)</b>密碼:電子構(gòu)型、<b class='flag-5'>化學(xué)鍵</b>合與<b class='flag-5'>化學(xué)</b>反應(yīng)性如何主宰電池性能

    強(qiáng)化學(xué)習(xí)會(huì)讓自動(dòng)駕駛模型學(xué)習(xí)更快嗎?

    [首發(fā)于智駕最前沿微信公眾號(hào)]在談及自動(dòng)駕駛大模型訓(xùn)練時(shí),有的技術(shù)方案會(huì)采用模仿學(xué)習(xí),而有些會(huì)采用強(qiáng)化學(xué)習(xí)。同樣作為大模型的訓(xùn)練方式,強(qiáng)化學(xué)習(xí)有何不同?又有什么特點(diǎn)? 什么是強(qiáng)
    的頭像 發(fā)表于 01-31 09:34 ?646次閱讀
    強(qiáng)<b class='flag-5'>化學(xué)</b>習(xí)會(huì)讓自動(dòng)駕駛模型學(xué)習(xí)更快嗎?

    詳解芯片制造中的金屬中間層技術(shù)

    熱壓合與金屬共晶合,這兩種技術(shù)在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域,尤其是晶圓級(jí)真空封裝場(chǎng)景中應(yīng)用極為廣泛。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 12:55 ?430次閱讀
    詳解芯片制造中的金屬中間層<b class='flag-5'>鍵</b>合<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    陽(yáng)極合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

    直接合方式具備較高的對(duì)準(zhǔn)精度與穩(wěn)固的合強(qiáng)度,能滿(mǎn)足高端器件的封裝需求,但該技術(shù)對(duì)晶圓表面的平整度、潔凈度及化學(xué)成分均勻性要求極為嚴(yán)苛,不僅需控制表面粗糙度在納米級(jí)別,還需徹底清除油
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:04 ?623次閱讀
    陽(yáng)極<b class='flag-5'>鍵</b>合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

    原子級(jí)潔凈的半導(dǎo)體工藝核心是什么

    原子級(jí)潔凈的半導(dǎo)體工藝核心在于通過(guò)多維度技術(shù)協(xié)同,實(shí)現(xiàn)材料去除精度控制在米(?)量級(jí),同時(shí)確保表面無(wú)殘留、無(wú)損傷。以下是關(guān)鍵要素的系統(tǒng)性解析:一、原子層級(jí)精準(zhǔn)刻蝕選擇性化學(xué)腐蝕利用氟
    的頭像 發(fā)表于 01-04 11:39 ?278次閱讀
    原子<b class='flag-5'>級(jí)</b>潔凈的半導(dǎo)體工藝核心是什么

    LED燈珠化學(xué)開(kāi)封

    什么是化學(xué)開(kāi)封化學(xué)開(kāi)封是一種通過(guò)化學(xué)試劑選擇性溶解電子元器件外部封裝材料,從而暴露內(nèi)部芯片結(jié)構(gòu)的技術(shù)方法,主要用于失效分析、質(zhì)量檢測(cè)和逆向工程等領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 12:16 ?925次閱讀
    LED燈珠<b class='flag-5'>化學(xué)</b>開(kāi)封

    AMB覆銅陶瓷基板迎爆發(fā)期,氮化硅需求成增長(zhǎng)引擎

    原理是在高溫真空環(huán)境下,利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料,與氮化鋁(AlN)或氮化硅(Si?N?)陶瓷表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可被液態(tài)釬料潤(rùn)濕的穩(wěn)定反應(yīng)層,從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷基板上。 ? 相比傳統(tǒng)的DBC(直接合銅)技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 06:12 ?5118次閱讀

    紅外光譜技術(shù)應(yīng)用與原理分析

    在分析檢測(cè)領(lǐng)域,紅外光譜分析技術(shù)作為一種高效、準(zhǔn)確的分析檢測(cè)手段,能夠快速準(zhǔn)確地識(shí)別各類(lèi)化合物的分子結(jié)構(gòu)特征。這項(xiàng)技術(shù)基于一個(gè)簡(jiǎn)單卻精妙的原理:當(dāng)紅外光照射樣品時(shí),分子中的化學(xué)鍵會(huì)吸收特定波長(zhǎng)
    的頭像 發(fā)表于 11-11 15:21 ?850次閱讀
    紅外光譜<b class='flag-5'>技術(shù)</b>應(yīng)用與原理分析

    中國(guó)芯片研制獲重大突破 全球首款亞級(jí)快照光譜成像芯片

    我國(guó)芯片正蓬勃發(fā)展,呈現(xiàn)一片欣欣向榮的態(tài)勢(shì),我們看到新聞,中國(guó)芯片研制獲重大突破;這是全球首款亞級(jí)快照光譜成像芯片問(wèn)世。 清華大學(xué)電子工程系方璐教授團(tuán)隊(duì)成功研制出全球首款亞級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 10-16 17:58 ?2542次閱讀

    白光掃描干涉法在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝混合合表面測(cè)量中的應(yīng)用研究

    化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝引入的納米級(jí)表面形貌變化(如銅凹陷/凸起)會(huì)顯著影響合質(zhì)量。傳統(tǒng)測(cè)量方法如原子力顯微鏡(AFM)雖然具有級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:48 ?1047次閱讀
    白光掃描干涉法在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝混合<b class='flag-5'>鍵</b>合表面測(cè)量中的應(yīng)用研究

    芯片制造中的技術(shù)詳解

    技術(shù)是通過(guò)溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué)鍵,實(shí)現(xiàn)不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級(jí)結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展,涵蓋直接
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:25 ?2156次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>鍵</b>合<b class='flag-5'>技術(shù)</b>詳解

    芯片制造中的化學(xué)技術(shù)研究進(jìn)展

    芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電鍍、熱壓合等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片導(dǎo)電互連。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 16:58 ?2588次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>化學(xué)</b>鍍<b class='flag-5'>技術(shù)</b>研究進(jìn)展

    混合合市場(chǎng)空間巨大,這些設(shè)備有機(jī)會(huì)迎來(lái)爆發(fā)

    屬直接合的先進(jìn)封裝技術(shù),其核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。 ? 在工藝過(guò)程中,需要經(jīng)過(guò)對(duì)準(zhǔn)和合、后合處理等幾個(gè)流程。在對(duì)晶圓表面進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:02 ?3090次閱讀

    基于推拉力測(cè)試機(jī)的化學(xué)鍍鎳鈀金電路板金絲合可靠性驗(yàn)證

    在微組裝工藝中,化學(xué)鍍鎳鈀金(ENEPIG)工藝因其優(yōu)異的抗“金脆”和“黑焊盤(pán)”性能,成為高可靠性電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)。然而,其合強(qiáng)度的長(zhǎng)期可靠性仍需系統(tǒng)驗(yàn)證。本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將基于A(yíng)lpha
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:40 ?1212次閱讀
    基于推拉力測(cè)試機(jī)的<b class='flag-5'>化學(xué)</b>鍍鎳鈀金電路板金絲<b class='flag-5'>鍵</b>合可靠性驗(yàn)證