文章來源：學習那些事

原文作者：前路漫漫

本文主要講述金屬中間層鍵合。

金屬中間層鍵合技術涵蓋金屬熱壓鍵合、金屬共晶鍵合、焊料鍵合及瞬態液相（transient liquid phase，TLP）鍵合等多種類型。圖1展示了這四種類型及其對應的鍵合機制。本文將重點聚焦金屬熱壓鍵合與金屬共晶鍵合，這兩種技術在微機電系統（MEMS）領域，尤其是晶圓級真空封裝場景中應用極為廣泛。

金屬熱壓鍵合

金屬熱壓鍵合是微電子封裝領域的核心技術之一，其借助高溫高壓環境，通過固態擴散作用使相同金屬材質實現緊密接合，主要應用的鍵合組合包括金-金（Au-Au）、銅-銅（Cu-Cu）及鋁-鋁（Al-Al）。該類鍵合技術的核心優勢在于低電阻率與優異的密封性能，但受固態擴散機制的制約，往往需要施加較高的溫度和壓力，同時對晶圓表面的平整度有著嚴格要求。對于Cu和Al材質的熱壓鍵合，需將溫度控制在400℃以上才能保障鍵合質量；此外，Cu與Al表面極易氧化，因此鍵合前必須通過針對性的氧化層清除處理，以確保鍵合效果達到預期。相較于Cu和Al，Au-Au熱壓鍵合可在300℃左右的較低溫度下開展，且Au表面不易形成氧化層，鍵合前的表面預處理流程更為簡便。Au薄膜具備優良的延展性，在鍵合過程中可承受一定程度的形變，這使得Au-Au組合成為熱壓鍵合的最優材料選擇。不過，由于Au在多數材料表面的附著力較差，沉積Au薄膜時通常需添加鈦（Ti）或鍺（Ge）作為黏附層；同時，為防止高溫環境下Au向硅（Si）中擴散，還需增設厚度約20納米的阻擋層，如氮化鈦（TiN）或鎳（Ni）。

以Au-Au熱壓鍵合為例，為實現結構的穩定牢固接合，保障器件后續正常運行，需遵循規范的工藝流程（圖2），具體包含以下關鍵步驟。

（1）金屬化前處理

高質量鍵合的前提是Si晶圓表面保持高度潔凈且具備良好的界面狀態，通常采用乙醇超聲波清洗工藝，去除晶圓表面的大顆粒雜質與有機污染物。

（2）表面金屬化

Au-Au熱壓鍵合的核心原理是Au原子在特定溫度和壓力下通過擴散與熔融實現結合，鍍金工藝主要包括濺射鍍金與蒸發鍍金兩種常見方式。濺射形成的金屬膜表面粗糙度較低，而蒸發鍍金形成的Au薄膜表面粗糙度較高，因此需采用更厚的Au層以保證鍵合質量。圖3為采用蒸發鍍金工藝，并通過EVG鍵合設備完成Au-Au鍵合后的超聲掃描結果。

（3）熱壓前的鍵合預處理

固態擴散鍵合對Si晶圓表面的顆粒雜質與有機物殘留極為敏感，通常采用硫酸（H?SO?）與過氧化氫（H?O?）的混合溶液進行浸泡清洗，清除加工過程中產生的汗液、光刻劑殘留等污染物。此外，為提升晶圓表面的化學活性，增強鍵合過程中的結合力，還可根據需求采用等離子活化處理工藝。

（4）熱壓鍵合

溫度與壓力是影響Au-Au鍵合質量的核心因素。較高的溫度可使Au薄膜軟化，強化原子擴散效果，進而提升鍵合質量；同時，合理增大鍵合壓力能確保Au薄膜之間充分接觸，為良好鍵合提供保障。

金屬共晶鍵合

金屬共晶鍵合是指兩種或多種金屬組合在特定條件下，直接從固態轉變為液態的相變過程，該過程不經過固液混合階段，其共晶溫度通常低于參與組合的各金屬熔點。這種鍵合技術在MEMS產業中被廣泛應用于氣密封裝、壓力封裝及真空封裝等場景，常見的金屬-合金組合有鋁-鍺（Al-Ge）、金-硅（Au-Si）及金-銦（Au-In）等。由于共晶鍵合過程中所有參與金屬均會經歷液相階段，對表面不平整、劃痕及顆粒雜質的容忍度較高，有利于實現規模化量產。

金屬共晶鍵合過程通常分為兩個核心階段，反應流程如圖4所示。

第一階段

低熔點金屬先熔化形成液相，與高熔點金屬接觸后發生快速相互擴散。由于高熔點金屬表面形成的金屬間化合物籽晶具有較高的形成能，會加速金屬間化合物的生成。隨著高熔點金屬的持續消耗與低熔點金屬的補充，化學反應持續進行，金屬間化合物區域不斷擴展，直至高熔點金屬層完全接合，阻斷液相金屬的進一步擴散。

第二階段

金屬間化合物通過高熔點金屬擴散生長，此過程速率較慢，通常需要較長時間以完全消耗低熔點金屬。隨著高熔點金屬濃度的變化，金屬間化合物的熔點逐漸升高，當溫度高于鍵合溫度時，金屬間化合物開始固化。持續加熱過程中，固態金屬相逐步轉變為更穩定的金屬間化合物結構。需注意的是，高熔點金屬與低熔點金屬的厚度配比需精準控制，避免高熔點金屬過早耗盡，導致金屬間化合物與Si晶圓的粘接強度下降。

共晶鍵合的品質受溫度、壓力、金屬膜層選擇等多重因素影響，具體如下：

（1）溫度

共晶鍵合需精確控制溫度，溫度分布不均、測量誤差及雜質摻雜均可能導致實際溫度與理論共晶點出現偏差。實際操作中，通常將鍵合溫度設定為略高于理論共晶點，確保材料充分熔合。

（2）壓力

施加合理的壓力是保障鍵合質量的關鍵，可確保芯片與載體均勻接觸，促進鍵合反應充分進行。壓力過小易導致芯片與基板間出現空隙或虛焊點，壓力過大則可能造成芯片破損。

（3）金屬選擇

選用成分穩定、不易氧化、表面平整的金屬焊料，能有效減少空洞及其他缺陷的產生，是實現高質量共晶鍵合的核心前提。

（4）清潔度

鍵合操作前需確保焊片及待鍵合表面的潔凈度，任何污物、油污或殘留雜質均會影響鍵合接口的結合質量。

（5）氧化

表面氧化層會降低鍵合材料的浸潤性，導致鍵合強度下降，因此鍵合前必須進行充分的表面處理，清除氧化層。

（6）熱應力

為最大限度降低熱應力帶來的不良影響，需保證芯片具備合適的厚度，同時使載體與芯片的熱膨脹系數相匹配或接近。

共晶鍵合是一項復雜且高精度的工藝，核心目標是確保上下層晶圓在鍵合設備內精準對齊固定，最終通過加熱加壓實現密封連接。以鋁-硅（Al-Si）共晶鍵合為例，整個流程可細化為四個關鍵步驟：

（1）氣體置換

對鍵合設備的密封腔室進行氣體置換，清除腔體內的氧氣（O?），并填充氮氣（N?）等化學性質穩定、不與工藝材料發生反應的氣體，營造適宜的鍵合環境，避免O?與材料發生不必要的化學反應。

（2）預熱

通過加熱裝置快速加熱腔體內的上下壓板，溫度達到預設值后，維持該溫度使晶圓靜置30至45分鐘，充分釋放晶圓內部殘留的氣體，降低對器件最終性能的潛在影響。

（3）共晶鍵合

移除晶圓間的墊片，使上下晶圓緊密貼合，隨后緩慢升溫至共晶點溫度并施加適當壓力，促使晶圓間發生共晶反應，形成穩固的鍵合結構。

（4）冷卻與解壓

共晶反應完成后，通過冷卻系統降低晶圓溫度，逐步卸除施加的壓力。待溫度降至安全范圍后，開啟腔室取出已完成鍵合的晶圓組合。

實際鍵合操作中，需妥善處理諸多細節問題以保障鍵合效果，例如控制晶圓鍵合前的清潔度、防止晶圓表面Al層氧化、避免Al-Ge共晶過程中溢出的共晶物影響器件功能等，這些均是半導體制造過程中需攻克的技術挑戰。圖5為采用全自動EVG鍵合設備完成Al-Ge共晶鍵合后的超聲掃描圖像。

除Al-Ge、Au-Si及Au-In組合外，共晶鍵合的常用金屬組合還包括Al-Si、Au-Ge、Au-錫（Sn）、銦-錫（In-Sn）、鉛（Pb）-Sn等，不同金屬組合對應的鍵合溫度要求存在差異。受溫度分布不均及雜質影響，實際共晶鍵合溫度通常略高于理論共晶點。表1列出了部分常見共晶鍵合組合及其對應的鍵合溫度。