發(fā)力新基建，WAYON維安推出國(guó)內(nèi)“最酷”MOSFET

發(fā)力新基建，維安推出國(guó)內(nèi)“最酷”MOSFET（授權(quán)方案設(shè)計(jì)代理商KOYUELEC光與電子）

受益于國(guó)家對(duì)新基建項(xiàng)目的重視，新能源電動(dòng)汽車充電樁和5G基站建設(shè)速度迅猛。應(yīng)新能源汽車?yán)m(xù)航里程提升和快速充電的要求，充電樁的功率已高達(dá)120KW到180KW。同樣，5G領(lǐng)域也很講求功率的高效性，5G基站單站滿載功率近3700W，約為4G基站的2.5~3.5倍，電費(fèi)亦會(huì)隨之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面對(duì)這些用電大戶，耗電問(wèn)題將是5G時(shí)代運(yùn)營(yíng)商無(wú)法回避的問(wèn)題。降低能耗，提升電源效率，是選擇功率半導(dǎo)體器件時(shí)的主要考慮因素。目前，功率MOSFET中TO-247封裝是充電機(jī)、充電樁和基站高功率電源模塊應(yīng)用中最通用的封裝形式。針對(duì)超低內(nèi)阻的高壓MOS產(chǎn)品需求，在常規(guī)TO-247封裝不能滿足的情況下，電源工程師往往會(huì)使用諸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大體積封裝來(lái)代替。這種超大封裝不僅不通用，且成本較高。順應(yīng)趨勢(shì)，維安經(jīng)過(guò)多年的SJ-MOS技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新，開發(fā)出行業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品——WMJ120N60CM，采用常規(guī) TO-247封裝的600V高壓SJ-MOS，導(dǎo)通電阻Rdson低至16.5mΩ，能夠有效提升電源功率密度，解決應(yīng)用痛點(diǎn)。

圖1 常規(guī)TO-247 封裝示意圖

圖2 常規(guī)TO-247導(dǎo)通電阻Rdson 對(duì)比

圖3常規(guī)TO-247 品質(zhì)因數(shù)FOM對(duì)比

在品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg）方面，WMJ120N60CM達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

在3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中，WMJ120N60CM和行業(yè)某知名廠商的65R019C7效率幾乎無(wú)差異，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 對(duì)應(yīng)的輸入功耗小了1~4W。

圖4 3.3KW PFC模塊電路測(cè)試中WMJ120N60CM和65R019C7效率對(duì)比

230Vac 輸出400V/8.31A條件下開關(guān)波形：

圖5 WMJ120N60CM 開通波形

圖6 65R019C7 開通波形

VGS 開通延遲時(shí)間兩者無(wú)差異：WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.

圖7 WMJ120N60CM 關(guān)斷波形

圖8 65R019C7 關(guān)斷波形

從VGS 關(guān)斷波形來(lái)看， WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。WMJ120N60CM具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻Rdson，且是TO-247通用封裝，在有效提升電源功率密度的同時(shí)又節(jié)省了空間。目前此款產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊，比如新能源汽車地面充電樁模塊電源，通信電源和高功率充電機(jī)等行業(yè)，在減少成本費(fèi)用的情況下實(shí)現(xiàn)高效，加速新基建全面落地。

審核編輯黃昊宇