話說本人使用的是GD32F103VCT6（或GD32F103VET6），采用SWD燒寫的方式，確實(shí)一直用的好好的。但是，量產(chǎn)的多少，總會(huì)出現(xiàn)一些意想不到的情況，比如引出SWD燒寫口的焊盤脫落了，或者因?yàn)殪o電等原因造成SWD無法燒錄，又或者是出現(xiàn)“Programming error@:0x00000000”的情況。這個(gè)時(shí)候，只是一味地采用SWD燒寫的方式，就有點(diǎn)無能為力了。

眾所周知，可以使用串口給STM32燒寫程序，只需設(shè)置成Boot0=1，Boot1=0，使用flash_loader_demonstrator這個(gè)小工具即可。那么，GD32F10x是否也可以這么做呢？查看了電路圖，我的電路板剛好USART1也引出來了。馬上去試試唄。

GD32F10x的引導(dǎo)配置

GD32F10x系列微控制器提供了三種引導(dǎo)源，可以通過BOOT0和BOOT1引腳來進(jìn)行選擇。該兩個(gè)引腳的電平狀態(tài)會(huì)在復(fù)位后的第四個(gè)CK_SYS(系統(tǒng)時(shí)鐘)的上升沿進(jìn)行鎖存。用戶可自行選擇所需要的引導(dǎo)源，通過設(shè)置上電復(fù)位和系統(tǒng)復(fù)位后的BOOT0和BOOT1的引腳電平。一旦這兩個(gè)引腳電平被采樣，它們可以被釋放并用于其他用途。

上電序列或系統(tǒng)復(fù)位后，ARMCortex-M3處理器先從0x00000000地址獲取棧頂值，再從0x00000004地址獲得引導(dǎo)代碼的基地址，然后從引導(dǎo)代碼的基地址開始執(zhí)行程序。 根據(jù)所選擇的引導(dǎo)源，主FLASH存儲(chǔ)器（開始于0x08000000的原始存儲(chǔ)空間）或系統(tǒng)存儲(chǔ)器（開始于0x1FFFF000的原始存儲(chǔ)空間）被映射到引導(dǎo)存儲(chǔ)空間（起始于0x00000000）。片上SRAM存儲(chǔ)空間的起始地址是0x20000000，當(dāng)它被選擇為引導(dǎo)源時(shí)，在應(yīng)用初始化代碼中，你必須使用NVIC異常表和偏移寄存器來將向量表重定向到SRAM中。嵌入式的Bootloader存放在系統(tǒng)存儲(chǔ)空間，用于對FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行重新編程。在GD32F10x設(shè)備中，Bootloader可以通過USART0（對應(yīng)STM32F10x的USART1）接口和外界交互。

使用串口來給GD32F10x燒寫程序

1、采用FlyMcu工具，測試是不行，識(shí)別不了GD32F10x芯片。

2、是不是GD32F10x有自己專用的串口燒寫工具呢？網(wǎng)上一搜索，確實(shí)如此，那就是：GigaDevice MCU ISP Programmer。 3、采用GigaDevice MCU ISP Programmer給GD32F10x燒寫程序： （1）打開軟件：分明是欺負(fù)我的筆記本屏幕有點(diǎn)小啊，算了，忍了。

識(shí)別出串口為“COM15”，波特率不要選擇太高，這里選擇“115200”。點(diǎn)擊“Next”，會(huì)彈出下面界面：

（2）繼續(xù)點(diǎn)擊“Next”，會(huì)出現(xiàn)下面界面：

能夠自動(dòng)識(shí)別出芯片型號(hào)，我這里的芯片型號(hào)是“GD32F103VCT6”。繼續(xù)點(diǎn)擊“Next”，會(huì)出現(xiàn)下面界面：

勾選“Download to Device”，添加要燒錄的hex文件，勾選上“Erase necessary pages”和“Verity after download”，點(diǎn)擊“Next”即可。 （3）此時(shí)會(huì)出現(xiàn)下面的界面，說明正在燒寫程序：

（4）出現(xiàn)下面的界面，表示燒寫成功。

可以看出，燒寫過程還是挺方便、挺快捷的。 這樣就完成了幾塊電路板的修復(fù)，還是挺不錯(cuò)的。

審核編輯 ：李倩