電子發燒友網報道（文/周凱揚）在服務器面臨的內存容量和帶寬限制下，不少新設計的服務器都選了集成多個DIMM內存插槽，將單個服務器的最高內存擴充至TB級，力求打破“內存墻”。DIMM這種內存模塊基于原生的64位數據通道，可以提供更快的速率，也隨著DDR4、DDR5等內存標準的發展，迎來了更大的帶寬。

根據Exactitude Consultancy的統計，從2021年到2026年，全球DIMM市場將實現22%的年復合增長率，總市值在2026年突破100億美元。三星、SK海力士、美光等廠商也都紛紛在近年推出新品，爭搶快速增長的服務器市場份額，除了自身跟進CXL等新技術的同時，也有的廠商選了與CPU、SPD廠商聯手提升內存性能。

DDR5 DIMM

2021年7月，JEDEC發布了JESD79-5這一DDR5 SDRAM標準，這也昭示著服務器內存正式開始轉向DDR5 DIMM。在新的標準中，DDR5內存接口芯片改善了從主機內存控制器發往DIMM的指令與地址信號完整性。

DDR5 DIMM的芯片組將上一代的DDR4 SPD IC換成了一個SPD Hub IC和兩個溫度傳感器IC，而SPD Hub IC內部本身也有集成的溫度傳感器。通信總線也從DDR4的I2C換成了I3C，速度有了10倍的提升，加強了實時控制。

更重要的是DDR5本身支持片上ECC這樣的高級RAS特性，與標準的ECC不同，片上ECC主要用于解決越來越先進的制造工藝下提高良率的問題，保護DRAM內存陣列中的數據完整性，而不會去防止內存控制器與內存模組之間傳輸數據時可能會發生的錯誤。也正因如此，片上ECC更像是一個降低DDR5成本的手段。

最快服務器內存模塊面世

近日，SK海力士宣布他們已經開發出了DDR5 MCR DIMM的工程樣品，并將其稱為市面上最快的DRAM產品。這一新產品的速率最低也有8Gbps，比已有的4.8Gbps DDR5內存要快上80%。

根據SK海力士的介紹，MCR DIMM是由他們與英特爾、瑞薩聯合開發的產品。MCR DIMM設計之初的目的就是為了提高DDR5運行速度，解決過去速率完全依賴于DRAM芯片的問題，而MCR則是通過提升整個模塊的速度而不是單個RCD芯片的速度，從而為服務器提供性能最強的內存產品。

MCR DIMM DDR5內存 / SK海力士

MCR全名為Multiplexer Combined Ranks，即復用組合Rank，SK海力士稱這是來自英特爾的技術，在主板上連接多個DRAM芯片的同時，利用數據緩沖器讓兩面的rank同時工作來提高速度。如此一來就能將每個rank傳輸的64字節數據，變成組合傳輸128字節的數據，傳輸給CPU的速率達到最小8Gbps，也就是近乎單個DRAM速率的兩倍。

當然了，盡管SK海力士宣稱MCR DIMM的帶寬要比傳統DDR5 DIMM高出66%，等同于所謂的DDR5-8000，速率也要高上80%，但并沒有給出具體的測試條件，比如是否需要用到英特爾的Xeon處理器等等。所以實際應用中可能不會獲得同樣的性能提升，但單單是紙面參數上的提升就已經相當驚艷了。

小結

從SK海力士展示的新一代DDR5 DIMM內存來看，未來內存性能的突破可能不只在存儲廠商的工藝、封裝上，也可以從結構設計、電源管理等方向突破，就像MCR DIMM中英特爾提供的MCR技術，來自瑞薩的緩存技術等。更何況現在還只是DDR5剛剛發力的早期，未來的DDR5已經定下了8800MT/s的超高指標，如果能夠結合MCR這類技術的話，DDR5說不定可以同時在容量和帶寬上找到比HBM更大的優勢。