隨著用于半導體制造的光刻系統變得越來越復雜，組件供應商需要能夠提供最高質量的產品以滿足芯片生產當前和未來的需求。基于深度內部研發，由高性能SiSiC制成，作為輕質碳化硅陶瓷基板，實現了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質量。

由碳化硅和特定數量的金屬硅制成的SiSiC（硅滲透碳化硅）板，它們構成了靜電吸盤的基礎。這些晶圓卡盤用于芯片生產的半導體機械中，以在機器中精確定位硅晶圓，利用靜電場在真空條件下夾持晶圓。碳化硅作為最硬的陶瓷材料，不僅提供了實現這一過程所需的剛度和絕對平坦度，而且還提供了出色的導熱性以及熱沖擊、耐磨性和耐腐蝕性。

一、在半導體機械中最佳使用的材料成分關鍵

在生產這些板時，平衡對高度均勻和精煉材料的需求，同時保持盡可能高的導電性是一個挑戰。該材料盡可能均勻，這意味著導電游離子硅部分盡可能均勻地分布在微結構中，同時保持最佳導電性。

這使得碳化硅表面的高精度微結構化成為可能，并最終更準確地處理硅晶片，這對芯片質量和可獲得的芯片結構有直接影響。

二、最新制造工藝的元器件匹配需求

光刻是利用光在硅片上印刷微小的圖案，是大規模生產計算機芯片的基本步驟，新一代光刻機現在處于物理可能性的最前沿。

作為一個小而重要的組件，碳化硅陶瓷基板被納入計算機芯片制造商使用的高度先進的EUV（極紫外）光刻系統之前經過了精加工工藝，這使得存儲芯片上的硅特征尺寸縮小到幾納米，并且未來的處理器，以滿足由5G、loT或自動駕駛應用驅動的不斷增長的需求。

有些客戶在碳化硅陶瓷基板上執行這種添加定制圖案的精加工工藝，鑒于全球半導體制造設備市場的預期增長已經體現在安裝的 EUV光刻系統數量不斷增加，因此半導體行業供應商可以從使用高質量基礎材料來提高效率和生產力中受益。

審核編輯：湯梓紅