探索傳統存儲器的發展史

繼續羅徹斯特電子“70年代最受歡迎的半導體”主題，本期分享的內容是商用DRAM 1103。

存儲器種類繁多，其中DRAM(動態隨機存取存儲器)的引進對電子系統和產品有著深遠影響。1968年，IBM的Robert H. Dennard博士獲得了第一個單晶體管DRAM單元的專利，隨之而來的是DRAM概念的商業化。

1969年，霍尼韋爾提出了三晶體管動態存儲單元設計來存儲數據，并尋求半導體廠商合作將其商業化量產。

最初通過PMOS技術達到可接受的良率。在這之后，一項關鍵的額外設計變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率，并實現了更小尺寸的晶體管結構。此外，性能提高到每兩毫秒可進行32次讀取操作隨著晶圓設計的迭代，產量有所提高。最終，英特爾在1970年推出了1103 DRAM(容量為1KB，即1024Bytes)。

在此之前，磁芯存儲器一直被廣泛應用。材料和組裝時間非常密集，而且體積龐大的磁芯存儲器很快被更便宜的DRAM所取代。到1972年，1103 DRAM成為全球最暢銷的半導體。該設計被交互授權給其它半導體制造商，使其成為首批可用的存儲器“標準”之一。

1985年，英特爾宣布放棄DRAM市場，DRAM的供應由日本廠商主導，然后是海力士和三星等韓國供應商。如今，DRAM在市場上的普遍應用意味著供應和定價像普通商品一樣被驅動，而不是傳統的買賣雙方協定模式。

希望您喜歡本期經典回顧。

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成立40多年來，羅徹斯特電子始終致力于持續供應關鍵半導體器件，覆蓋來自眾多知名制造商的DRAM產品。

羅徹斯特電子擁有超過1.35億片存儲器，覆蓋來自眾多知名制造商的10000多種產品型號，產品均采用行業標準封裝，包括易失性存儲器和非易失性存儲器。

審核編輯 ：李倩