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DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)

長(zhǎng)電科技 ? 來源:長(zhǎng)電科技 ? 作者:長(zhǎng)電科技 ? 2022-11-24 16:17 ? 次閱讀
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近日,長(zhǎng)電科技宣布,高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。

隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品,DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì),給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性,市場(chǎng)前景廣闊。

反映到芯片成品制造環(huán)節(jié),包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升,對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延,以及更短互連等要求。

為此,長(zhǎng)電科技通過各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度性能,滿足市場(chǎng)的需求。芯片2.5D/3D封裝是在三維方向上將多個(gè)芯片堆疊起來,實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速通訊,增加帶寬和器件集成的小型化,使芯片產(chǎn)品在擁有高存儲(chǔ)密度的同時(shí)降低其封裝成本。

同時(shí),長(zhǎng)電科技在圓片磨劃、封裝工藝、潔凈度控制等環(huán)節(jié)擁有一整套成熟的技術(shù)和先進(jìn)的設(shè)備支持,多芯片堆疊技術(shù)管控能力達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平;在測(cè)試環(huán)節(jié)擁有先進(jìn)的測(cè)試系統(tǒng)和能力,可向客戶提供全套測(cè)試平臺(tái)和工程服務(wù)。

目前,長(zhǎng)電科技的工藝能力可以實(shí)現(xiàn)16層芯片的堆疊,單層芯片厚度為35um,封裝厚度為1mm左右。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體微系統(tǒng)集成和芯片成品制造服務(wù)提供商,長(zhǎng)電科技在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已積累近20年的成品制造和量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),與國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)類產(chǎn)品廠商之間形成廣泛的合作,包括DDR在內(nèi)各類存儲(chǔ)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),穩(wěn)定的制程能力和產(chǎn)品品質(zhì)贏得了國(guó)內(nèi)外客戶的一致好評(píng)。

長(zhǎng)電科技表示,隨著PC端、服務(wù)器端、以及消費(fèi)端等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升,市場(chǎng)對(duì)DDR5的需求有望加速釋放,為集成電路封測(cè)帶來新機(jī)遇。依托一流的工藝能力、品質(zhì)管控能力和成熟的供應(yīng)鏈體系,長(zhǎng)電科技可為客戶確保高成品率的同時(shí)縮短產(chǎn)品交期,幫助客戶以更低的成本實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的解決方案。未來,長(zhǎng)電科技將保持對(duì)領(lǐng)先技術(shù)的不懈追求,不斷加強(qiáng)與客戶協(xié)同合作實(shí)現(xiàn)與客戶的共同成長(zhǎng)。

長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商,提供全方位的芯片成品制造一站式服務(wù),包括集成電路的系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證、晶圓中測(cè)、晶圓級(jí)中道封裝測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)封裝測(cè)試、芯片成品測(cè)試并可向世界各地的半導(dǎo)體客戶提供直運(yùn)服務(wù)。

通過高集成度的晶圓級(jí)(WLP)、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)(SiP)封裝技術(shù)和高性能的倒裝芯片和引線互聯(lián)封裝技術(shù),長(zhǎng)電科技的產(chǎn)品、服務(wù)和技術(shù)涵蓋了主流集成電路系統(tǒng)應(yīng)用,包括網(wǎng)絡(luò)通訊、移動(dòng)終端、高性能計(jì)算、車載電子、大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領(lǐng)域。長(zhǎng)電科技在全球擁有23,000多名員工,在中國(guó)、韓國(guó)和新加坡設(shè)有六大生產(chǎn)基地和兩大研發(fā)中心,在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)設(shè)有業(yè)務(wù)機(jī)構(gòu),可與全球客戶進(jìn)行緊密的技術(shù)合作并提供高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技有備而來

文章出處:【微信號(hào):gh_0837f8870e15,微信公眾號(hào):長(zhǎng)電科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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