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元器件失效分析基本概念與機理分析

sade2020616 ? 來源:光電讀書 ? 作者:光電讀書 ? 2022-11-15 11:47 ? 次閱讀
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器件一旦壞了,千萬不要敬而遠之,而應該如獲至寶。

開車的人都知道,哪里最能練出駕駛水平?高速公路不行,只有鬧市和不良路況才能提高水平。社會的發(fā)展就是一個發(fā)現(xiàn)問題解決問題的過程,出現(xiàn)問題不可怕,但頻繁出現(xiàn)同一類問題是非常可怕的。

失效分析基本概念

定義:對失效電子元器件進行診斷過程。

1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。

2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理,提出糾正措施,防止這種失效模式和失效機理的重復出現(xiàn)。

3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。

4、失效機理是指失效的物理化學過程,如疲勞、腐蝕和過應力等。

失效分析的一般程序

1、收集現(xiàn)場場數(shù)據(jù)

2、電測并確定失效模式

3、非破壞檢查

4、打開封裝

5、鏡驗

6、通電并進行失效定位

7、對失效部位進行物理、化學分析,確定失效機理。

8、綜合分析,確定失效原因,提出糾正措施。

1、收集現(xiàn)場數(shù)據(jù):

應力類型 試驗方法 可能出現(xiàn)的主要失效模式
電應力 靜電、過電、噪聲 MOS器件的柵擊穿、雙極型器件的pn結(jié)擊穿、功率晶體管的二次擊穿、CMOS電路的閂鎖效應
熱應力 高溫儲存 金屬-半導體接觸的Al-Si互溶,歐姆接觸退化,pn結(jié)漏電、Au-Al鍵合失效
低溫應力 低溫儲存 芯片斷裂
低溫電應力 低溫工作 熱載流子注入
高低溫應力 高低溫循環(huán) 芯片斷裂、芯片粘接失效
熱電應力 高溫工作 金屬電遷移、歐姆接觸退化
機械應力 振動、沖擊、加速度 芯片斷裂、引線斷裂
輻射應力 X射線輻射、中子輻射 電參數(shù)變化、軟錯誤、CMOS電路的閂鎖效應
氣候應力 高濕、鹽霧 外引線腐蝕、金屬化腐蝕、電參數(shù)漂移

2、電測并確定失效模式

電測失效可分為連接性失效、電參數(shù)失效和功能失效。

連接性失效包括開路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測試,現(xiàn)場失效多數(shù)由靜電放電(ESD)和過電應力(EOS)引起。
電參數(shù)失效,需進行較復雜的測量,主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍(超差)和參數(shù)不穩(wěn)定。

確認功能失效,需對元器件輸入一個已知的激勵信號,測量輸出結(jié)果。如測得輸出狀態(tài)與預計狀態(tài)相同,則元器件功能正常,否則為失效,功能測試主要用于集成電路

三種失效有一定的相關性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復雜功能測試設備和測試程序的情況下,有可能用簡單的連接性測試和參數(shù)測試方法進行電測,結(jié)合物理失效分析技術的應用仍然可獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。

3、非破壞檢查

名稱 應用優(yōu)勢 主要原理
X射線透視技術 以低密度區(qū)為背景,觀察材料的高密度區(qū)的密度異常點 透視X光的被樣品局部吸收后成象的異常
反射式掃描聲學顯微術(C-SAM) 以高密度區(qū)為背景,觀察材料內(nèi)部空隙或低密度區(qū) 超聲波遇空隙受阻反射

X-Ray檢測,即為在不破壞芯片情況下,利用X射線透視元器件(多方向及角度可選),檢測元器件的封裝情況,如氣泡、邦定線異常,晶粒尺寸,支架方向等。

適用情境:檢查邦定有無異常、封裝有無缺陷、確認晶粒尺寸及l(fā)ayout

優(yōu)勢:工期短,直觀易分析

劣勢:獲得信息有限

局限性:

1、相同批次的器件,不同封裝生產(chǎn)線的器件內(nèi)部形狀略微不同;

2、內(nèi)部線路損傷或缺陷很難檢查出來,必須通過功能測試及其他試驗獲得。

案例分析:

X-Ray探傷----氣泡、邦定線

cf4ba728-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

cf6524a0-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

X-Ray 真?zhèn)舞b別----空包彈(圖中可見,未有晶粒)

cf7de5bc-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

“徒有其表”

cf96db30-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

下面這個才是貨真價實的

cfbb3660-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

X-Ray用于產(chǎn)地分析(下圖中同品牌同型號的芯片)

cffb9480-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

X-Ray 用于失效分析(PCB探傷、分析)

d0271cfe-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

(下面這個密密麻麻的圓點就是BGA的錫珠。下圖我們可以看出,這個芯片實際上是BGA二次封裝的)

d04ffe94-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

4、打開封裝

開封方法有機械方法和化學方法兩種,按封裝材料來分類,微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。

機械開封

化學開封

d07554fa-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

d0916e74-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

5、顯微形貌像技術

光學顯微鏡分析技術

掃描電子顯微鏡的二次電子像技術

電壓效應的失效定位技術

d0b63efc-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

d0dd8f70-6291-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

6、半導體主要失效機理分析

電應力(EOD)損傷

靜電放電(ESD)損傷

封裝失效

引線鍵合失效

芯片粘接不良

金屬半導體接觸退化

鈉離子沾污失效

氧化層針孔失效

審核編輯:郭婷

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原文標題:元器件失效分析方法

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