先進(jìn)IC封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來(lái)越困難、也越來(lái)越昂貴之際，工程師們將多個(gè)芯片放入先進(jìn)的封裝中，就不必再費(fèi)力縮小芯片了。 然而，先進(jìn)IC封裝技術(shù)發(fā)展十分迅速，設(shè)計(jì)工程師和工程經(jīng)理們需要跟上這一關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展節(jié)奏。首先，他們需要了解先進(jìn)IC封裝中不斷出現(xiàn)的基本術(shù)語(yǔ)。 本文將對(duì)下一代IC封裝技術(shù)中最常見(jiàn)的10個(gè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行簡(jiǎn)介。

2.5D封裝

2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的進(jìn)展，可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路與空間利用。在2.5D封裝中，裸晶堆棧或并排放置在具有硅通孔(TSV)的中介層(interposer)頂部。其底座，即中介層，可提供芯片之間的連接性。 2.5D封裝通常用于高端ASIC、FPGA、GPU和內(nèi)存立方體。2008年，賽靈思(Xilinx)將其大型FPGA劃分為四個(gè)良率更高的較小芯片，并將這些芯片連接到硅中介層。2.5D封裝由此誕生，并最終廣泛用于高帶寬內(nèi)存(HBM)處理器整合。 圖1、2.5D封裝示意圖。(圖片來(lái)源：Research Gate)

3D封裝

在3D IC封裝中，邏輯裸晶堆棧在一起或與儲(chǔ)存裸晶堆棧在一起，無(wú)需建構(gòu)大型的系統(tǒng)單芯片(SoC)。裸晶之間透過(guò)主動(dòng)中介層連接，2.5D IC封裝是利用導(dǎo)電凸塊或TSV將組件堆棧在中介層上，3D IC封裝則將多層硅晶圓與采用TSV的組件連接在一起。 TSV技術(shù)是2.5D和3D IC封裝中的關(guān)鍵使能技術(shù)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直使用HBM技術(shù)生產(chǎn)3D IC封裝的DRAM芯片。 圖2 、從3D封裝的截面圖可以看出，透過(guò)金屬銅TSV實(shí)現(xiàn)了硅芯片之間的垂直互連。(數(shù)據(jù)源：Research Gate)

Chiplet

芯片庫(kù)中有一系列模塊化芯片可以采用裸晶到裸晶互連技術(shù)整合到封裝中。Chiplet是3D IC封裝的另一種形式，可以實(shí)現(xiàn)CMOS組件與非CMOS組件的異質(zhì)整合(Heterogeneous integration)。換句話說(shuō)，它們是較小型的SoC，也叫做chiplet，而不是封裝中的大型SoC。 將大型SoC分解為較小的小芯片，與單顆裸晶相比具有更高的良率和更低的成本。Chiplet使設(shè)計(jì)人員可以充分利用各種IP，而不用考慮采用何種工藝節(jié)點(diǎn)，以及采用何種技術(shù)制造。他們可以采用多種材料，包括硅、玻璃和層壓板來(lái)制造芯片。

圖3、基于Chiplet的系統(tǒng)是由中介層上的多個(gè)Chiplet組成。(圖片來(lái)源：Cadence) 扇出(Fan out) 在扇出封裝中，“連結(jié)”(connection)被扇出芯片表面，從而提供更多的外部I/O。它使用環(huán)氧樹(shù)脂成型材料(EMC)完全嵌入裸晶，不需要諸如晶圓凸塊、上助焊劑、倒裝芯片、清潔、底部噴灑充膠和固化等工藝流程，因此也無(wú)需中介層，使異質(zhì)整合變得更加簡(jiǎn)單。 扇出技術(shù)是比其他封裝類型具有更多I/O的小型封裝。2016年，蘋果(Apple)借助臺(tái)積電(TSMC)的封裝技術(shù)，將其16納米應(yīng)用處理器與移動(dòng)DRAM整合到iPhone 7的一個(gè)封裝中，從而將這項(xiàng)技術(shù)推向舞臺(tái)。

扇出晶圓級(jí)封裝(FOWLP)

FOWLP技術(shù)是針對(duì)晶圓級(jí)封裝(WLP)的改進(jìn)，可以為硅芯片提供更多外部連接。它將芯片嵌入環(huán)氧樹(shù)脂成型材料中，然后在晶圓表面建構(gòu)高密度重分布層(RDL)并施加焊錫球，形成重構(gòu)晶圓(reconstituted wafer)。 它通常先將經(jīng)過(guò)處理的晶圓切成單顆裸晶，然后將裸晶分散放置在載體結(jié)構(gòu)(carrier structure)上，并填充間隙以形成重構(gòu)晶圓。FOWLP在封裝和應(yīng)用電路板之間提供了大量連接，而且由于基板比裸晶要大，裸晶的間距實(shí)際上更寬松。

圖4、在此FOWLP封裝示例中，硅倒裝芯片嵌入到玻璃基板中，重分布層透過(guò)芯片扇出至玻璃通孔。(圖片來(lái)源：Samtec)

異質(zhì)整合

將分開(kāi)制造的不同組件整合到更高級(jí)別的組件中，可以增強(qiáng)功能并改進(jìn)工作特性，因此半導(dǎo)體組件制造商能夠?qū)⒉捎貌煌に嚵鞒痰墓δ芙M件組合到一個(gè)組件中。 異質(zhì)整合類似于系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)，但它并不是將多顆裸晶整合在單個(gè)基板上，而是將多個(gè)IP以Chiplet的形式整合在單個(gè)基板上。異質(zhì)整合的基本思想是將多個(gè)具有不同功能的組件組合在同一個(gè)封裝中。

圖5、異質(zhì)整合中的一些技術(shù)建構(gòu)區(qū)塊。(圖片來(lái)源：ASE Group)

HBM

HBM是一種標(biāo)準(zhǔn)化的堆棧儲(chǔ)存技術(shù)，可為堆棧內(nèi)部，以及內(nèi)存與邏輯組件之間的數(shù)據(jù)提供高帶寬信道。HBM封裝將內(nèi)存裸晶堆棧起來(lái)，并透過(guò)TSV將它們連接在一起，從而創(chuàng)建更多的I/O和帶寬。 HBM是一種JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，它在封裝內(nèi)垂直整合了多層DRAM組件，封裝內(nèi)還有應(yīng)用處理器、GPU和SoC。HBM主要以2.5D封裝的形式實(shí)現(xiàn)，用于高端服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)芯片。現(xiàn)在發(fā)布的HBM2版本解決了初始HBM版本中的容量和時(shí)鐘速率限制問(wèn)題。

圖6、HBM封裝將內(nèi)存裸晶彼此堆棧，并利用TSV將它們連接起來(lái)以創(chuàng)建更多I/O和帶寬。(圖片來(lái)源：SK Hynix)

中介層

中介層是封裝中多芯片裸晶或電路板傳遞電信號(hào)的管道，是插口或接頭之間的電接口，可以將信號(hào)傳播更遠(yuǎn)，也可以連接到板子上的其他插口。 中介層可以由硅和有機(jī)材料制成，充當(dāng)多顆裸晶和電路板之間的橋梁。硅中介層是一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)，具有較高的細(xì)間距I/O密度和TSV形成能力，在2.5D和3D IC芯片封裝中扮演著關(guān)鍵角色。

圖7、系統(tǒng)分區(qū)中介層的典型實(shí)現(xiàn)。(數(shù)據(jù)源：Yole Développement)

重分布層

重分布層包含銅連接線或走線，用于實(shí)現(xiàn)封裝各個(gè)部分之間的電氣連接。它是金屬或高分子介電材料層，裸晶可以堆棧在封裝中，從而縮小大芯片組的I/O間距。重分布層已成為2.5D和3D封裝解決方案中不可或缺的一部分，使其上的芯片可以利用中介層相互進(jìn)行通訊。

圖8、使用重分布層的整合封裝。(圖片來(lái)源：Fujitsu)

TSV

TSV是2.5D和3D封裝解決方案的關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)技術(shù)，是在晶圓中填充銅，提供貫通硅晶圓裸晶的垂直互連。它貫穿整個(gè)芯片以提供電氣連接，形成從芯片一側(cè)到另一側(cè)的最短路徑。 從晶圓的正面將通孔或孔洞蝕刻到一定深度，然后將其絕緣，并沉積導(dǎo)電材料(通常為銅)進(jìn)行填充。芯片制造完成后，從晶圓的背面將其減薄，以暴露通孔和沉積在晶圓背面的金屬，從而完成TSV互連。

圖9、在TSV封裝中，DRAM芯片接地、穿透并與電極相連。(圖片來(lái)源：Samsung Electronics)