來源：半導體芯科技SiSC

自電子設備誕生的那一刻起，儲存芯片就作為數據保存的載體。隨著大數據時代來臨，AI與IoT的融合發展，數據量快速增加，存儲需求相應急增。目前在集成電路市場上，獨立存儲芯片占集成電路總數量的約1/4。存儲芯片作為數據存儲物理介質，其可靠性、安全性尤為重要。它是各類電子設備實現存儲功能的主要部件，也是應用最廣泛的基礎性通用芯片之一。同時，云計算的開放性使得用戶數據安全性面臨較大挑戰。

DRAM、NAND FLASH等半導體存儲技術，我國從無到有。存儲芯片設計、晶圓制造、封裝測試、模組應用等一系列存儲產業集群日漸成形。存儲芯片作為半導體產業的一個部分，國內存儲芯產業的廠商期待與世界快速接軌。

2022年10月13日14:00-16:00第十四屆晶芯在線研討會之“大數據時代的半導體存儲與數據安全”，由雅時國際商訊主辦、大會媒體《半導體芯科技》雜志社協辦、CHIP China晶芯研討會承辦的主題會議上，我社邀請到垂直存儲產業鏈重量級企業，分別從各自領域深度剖析半導體以及存儲產業技術、市場與應用等趨勢。

ACT雅時商訊總裁、《半導體芯科技》出版總監麥協林先生在致辭中，向所有上線嘉賓表示歡迎和感謝，期待通過本次會議促進產業發展與企業間的聯動。在這半天的直播時間里，共有近900名觀眾報名參加、近700人上線參與、近千條評論區實時互動留言，3852次點贊鼓掌，高頻互動問答給大家更是留下了深刻的印象，反響熱烈。

第一位演講嘉賓，華潤微電子新型半導體器件首席專家 李少平。李博士一直在國際著名研究機構與國際高科技芯片和MEMS傳感器企業，從事非易失性存儲器芯片與MEMS芯片的開發。李博士為我們分享了《新型非易失性存儲芯片技術的產業化進展》。其中具體闡述了新興非易失性存儲芯片的特點、產業化現狀，MRAM與鐵電非易失性存儲技術的現狀和進展。以及非易失性存儲的應用場景。

李博士在MRAM，FeRAM和ReRAM等新型非易失性存儲芯片領域均有建樹。2011年與團隊一起在國際上最早提出采用Ta、W等非磁性重金屬薄膜并利用 Edelstein效應制造垂直磁化SOT（自旋軌道轉矩）MRAM存儲器芯片。李博士認為，開發領先的非易失性存儲器芯片的技術，目標在于發展下一代高密度, 高性能, 高可靠性芯片。短期目標市場可替代部分NOR Flash；我們應抓住全球非易失性存儲芯片技術開發調整的機遇，填補原創新型非易失性存儲芯片的技術空白(SOT與FTJ)，為存儲芯片產業崛起打下基礎。

第二位演講嘉賓，深圳大學微電子研究院封測中心主任 黃雙武。黃教授獲得新加坡國立大學博士后，已在新加坡和美國工作18年，先后服務于日立化成（HCAP）、美光科技（Micron）、星科金朋（StatschipPAC）、新加坡微電子研究所（IME）、瑞士SFS集團旗下Unisteel公司技術總監。2014回國加入碩貝德無線科技（SPEED）負責TSV制造和指紋模組封裝技術開發。

黃教授深入淺出地為我們分享了《先進封裝在存儲器件中的應用》，詳細介紹了存儲芯片50年的技術發展歷程，講解了倒裝焊接（Flip Chip-BGA）、3D封裝扇出型晶圓級別封裝（FOWLP）、 SoC&SiP、3D IC、硅通孔等先進封裝技術，并探討了未來50年存儲芯片封裝技術的發展方向，就異質異構集成電路發展趨勢與面臨挑戰、大灣區的需求情況等進行總結報告。

第三位演講嘉賓，沛頓科技（深圳）有限公司首席技術官 何洪文。何博士給我們分享了半導體發展的驅動力，先進封裝的市場和技術趨勢、先進封裝面臨的挑戰，以及存儲封裝的解決方案。

據預估，2030年全球半導體銷售額達萬億，相比2021年復合增長率6~7%。高端產品封裝市場增長迅速; 國內存儲芯片需求龐大、自給率低，新興應用及政策推動助力國產存儲芯片快速發展。由于半導體工藝越來越接近極限，每一代工藝帶來的性能增益越來越小，先進封裝將成為芯片性能提升的主要推動力。先進工藝的紅利逐漸減少，不斷縮減晶體管尺寸的技術路徑開始放緩，先進工藝節點研發遭遇技術瓶頸。同時，隨著高端存儲芯片的演進，先進封裝技術會更多地被應用。對于半導體封測領域的企業來說，先進封裝被稱為實現超越摩爾定律的有效途徑， HB/TSV等先進封裝技術的發展推動高端產品廣泛應用， Chiplet異構集成提供低成本、高集成度的解決方案。本演講中何博士主要重點介紹了POPt、3D TSV、Hybrid Bonding等先進封裝技術的挑戰，并闡述了沛頓科技在存儲芯片封裝技術領域的整體解決方案及技術規劃。

第四位演講嘉賓，東芯半導體股份有限公司副總經理 陳磊。陳總向我們分享了國內存儲市場的現狀及分析，東芯半導體作為本土存儲Fabless芯片設計公司的自主創芯之路。

隨著大數據時代來臨，存儲芯片市場需求巨大，汽車、新基建等產業發展迅猛，對存儲芯片性能提出了更高的要求。國內存儲企業迎頭追趕。截至2021年，我國IC設計產業銷售規模達到4519億元，同比增長19.6%。其在國內集成電路全產業規模占比43%。東芯半導體專注于存儲IC設計，提供小容量NAND、NOR、DRAM存儲芯片的設計工藝和產品方案。其中，DS35X4GM-IB，是2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，擁有自主知識產權，是國內第一顆2xnm的SPI NAND Flash產品，提供3.3V/1.8V兩種電壓，被廣泛應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備及物聯網等領域，5G通訊、企業級網關、網絡智能監控、數字錄像機、數字機頂盒和智能手環等終端產品。該品一經推出就獲得廣泛關注。

直播間內聽眾們紛紛提出了他們對于半導體存儲技術的一系列問題，經四位專家答疑后，集中問答反饋將在后續公眾號推出，敬請期待。

審核編輯 黃昊宇