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NP50P03D6 30V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-18 14:59 ? 次閱讀
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描述

NP50P03D6采用先進的溝槽技術(shù)

提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用

作為負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。

一般特征

?VDS = -30v, id = -50a

RDS(上)(Typ) = 5.8Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 9.9Ω@VGS = -4.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測試

應(yīng)用程序

? PWM 應(yīng)用 程序

? Load 開關(guān)

?不間斷電源

?PDFN5 * 6-8L-A

poYBAGLVBEqAGq4VAADHTJUp6pc364.png

訂購信息

pYYBAGLVBGKAUeIWAAA4DyTBp9A807.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLVBHyAOGlMAAC4pulGHPM209.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLVBJiAUx4vAAJw8dHBp2k566.png

熱特性

poYBAGLVBLKAKrx5AABmgSwFWtI594.png

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中

T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計。目前的評級是基于

t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。


審核編輯 黃昊宇

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