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      NP1207DR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-05 15:53 ? 次閱讀
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      描述

      NP1207DR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用中。

      一般特征

      ?VDS = -12v, id = -7a

      RDS(上)(Typ) = 25米Ω@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 34米Ω@VGS = -2.5 v

      ?高功率和電流處理能力

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      應(yīng)用程序

      ?PWM程序

      ?負(fù)荷開關(guān)包

      ?DFN2 * 2-6L

      poYBAGLD7VqABgSWAACVQxluJIk294.png

      訂購信息

      poYBAGLD7YKAAengAAA1CtnFNQ8861.png

      絕對(duì)最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLD7aaARB37AACSucjDUyU767.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLD7ceARenEAAIYJIArwog984.png

      注:

      a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒

      B.脈沖測(cè)試:脈寬≤300μs，占空比≤2%

      C.設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)

      pYYBAGLD7eaAO3WUAAAua2Pn828177.png

      審核編輯：符乾江

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