國產12nm芯片 紫光國芯攻克12nm工藝
中國芯片再度獲得沖破，紫光國芯攻克12nm芯片制造工藝，這將代表我國現存技術再次獲得了晉升。
12nm芯片制造工藝是在14nm工藝基礎上進行改良，和其14nm工藝進行對比的話，12nm芯片對晶體管進行的改造，使其減小尺寸可以達到降低功耗和錯誤率的目的。此次在存儲控制器上的突破，是第一個融入12nm制程的GDDR6存儲物理接口，有利于閃存平臺的搭建，也大大提高了數據上的傳輸，能優化帶寬高性能的要求。
此次在存儲控制器上的技術突破或將意味著中國或許能夠在GDDR6領域擁有自己的IP主控芯片，這對我國半導體行業也有著重大意義。
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審核編輯：郭婷
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