近日，ASML明示，1nm工藝能實現。摩爾定律可繼續十年。

ASML表示從整個行業的發展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內讓摩爾定律繼續保持這種勢頭。

在過去的57年中，摩爾定律一直是指導半導體行業發展的黃金法則。即使驅動摩爾定律生效的條件正在發生改變，它也將繼續指引行業前行。

1965年，時任仙童半導體公司研發總監的戈登?摩爾撰寫了一篇關于未來10年內半導體芯片發展趨勢的文章，對當時芯片生產的技術能力和經濟效益進行了大膽預測：

“在最小成本的前提下，單個芯片上的元器件數量基本上是每一年翻一倍。并且至少在未來十年保持這個增長速度，到1975年單個芯片上將集成65,000個元器件。”

這一預測實際上也是對當時半導體行業驚人的發展速度的真實寫照。不過，摩爾本人后來形容這是“一個大膽的推斷”。但就是這樣的一個推斷，在半導體行業不斷的變革中得到了多次證實，同時，業內人士也在此基礎上不斷對其進行延伸。

雖然摩爾定律成功指引了半導體行業發展，但事實上，它從來就不是科學意義上的一則真正“定律”。誠然，它描述了半導體行業發展中取得的一系列令人印象深刻的成就，但它的預測更像是半導體行業寄予自己的一個雄心勃勃的目標或路線圖。它之所以被廣泛采用，更多的是芯片制造商出于經濟原因——希望芯片的功能能以一個可承受的價格來實現——而不是基于任何物理原理。

在過去的15年里，這些創新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個行業的發展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內讓摩爾定律繼續保持這種勢頭。

當然，在元件方面，目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等諸多前瞻技術。此外，光刻系統分辨率的改進（預計每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現。

ASML作為半導體行業的引領者之一，始終為行業提供創新支持。我們的EPE路線圖是全方位光刻技術的關鍵，它將通過不斷改進光刻系統和發展應用產品（包括量測和檢測系統）來實現。

此外，我們預計系統級的擴展將發揮更大的作用：去年，存儲器制造商生產了176個存儲層疊加的3D NAND芯片，并宣布到2030年左右將生產超過600個存儲層的芯片路線圖。如果說摩爾定律57年的歷史向我們展示了什么，那就是半導體行業充滿了新發展的想法。

只要我們還有想法，摩爾定律就會繼續生效！

審核編輯 ：李倩