IGBT因其優異的電氣屬性和性價比在業界被廣泛應用，特別是在工業控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發的具備低功耗節能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產品能耗進一步降低。

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基本電氣屬性綜述

首先GT30N135SRA擁有小而簡的T0-247封裝結構，是基于RC-IGBT功率半導體系列更新迭代的第6.5代產品，此款產品內置了一顆續流二極管芯片（FWD），進一步保證了IGBT對整個電路系統的穩定性。當TC＝100℃，Ta＝25℃時，其集電極電流額定值為30A，此時對應的低集電極-發射極飽和電壓VCE為1.65V，低二極管正向電壓VF為1.75V，通過降低傳導損耗來降低設備的功耗，在有限電源供給的系統電路上能夠發揮出傳奇的特色。

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動態特性分析

IGBT的快速響應時間是衡量是否具備實時特性的一個重要的指標，為了更好的說明GT30N135SRA擁有高速的開關特性，設計了GT30N135SRA分別在阻性電路和容性電路、感性電路中的開關時間及其開關損耗來進一步分析說明。

測試結果表明當輸入VCE＝25V，VGE＝0V時，此時電路處于截止狀態，IC＝0A。當VCE＝25V，VGE＝15V時，此時電路處于導通狀態，IC從0A突變到飽和狀態效率為90%，其開關頻率達到了f＝100kHZ。

在容感性電路中可以看到，由于電容電感需要充放電的特性，因此電壓和電流在整個突變過程中并不是呈現出線性特性，其損耗計算公式為Eoff＝

。即總功耗＝通態損耗（與飽和電壓VCEsat有關）+開關損耗（EoffEon）。同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾，互為消長。

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引領家電消費市場

隨著IGBT的聲名鵲起在整個功率半導體行業掀起了一波新浪潮。因其前身是MOS與BJT技術集成的產物，因此絕大多數應用在工業產品上，但隨著節能減排的指導方針興起，大多數家電產品也迎來了革新，新穎的低功耗功率半導體器件也會給整個家電市場帶來新的前景。所以GT30N135SRA在軟開關應用，電磁爐、微波爐（家電產品），電壓諧振變頻開關應用中能夠展現出奇的效果。

東芝半導體是全球領先的半導體生產設計制造公司，多年來持續耕耘在功率半導體研發上，經驗豐富的設計實驗室及優異的研發團隊也一直致力于研發創新、提升芯片的功能屬性和穩定特性。