陶瓷電容器使用陶瓷材料作為介電材料。陶瓷材料種類繁多，介電常數和穩定性不同，適用于不同的場合。

陶瓷電容主要有以下幾種：

5.1 陶瓷圓盤電容器

陶瓷電容的主要優點是可以承受高電壓，通常用作安規電容，可以承受250V交流電壓。其外觀和結構如下圖所示：

圖 12。陶瓷圓盤電容器的結構

5.2 多層陶瓷電容器

多層陶瓷電容器，即MLCC，貼片多層陶瓷電容器是目前世界上應用最廣泛的電容器類型。它們的標準化封裝和小尺寸適用于自動化高密度芯片生產。

多層陶瓷電容器的內部結構如下圖所示：

圖 13。片式多層陶瓷電容器的內部結構

5.3 單片電容器

由于多層陶瓷需要燒結和瓷化形成一個整體結構，所以引線封裝中的多層陶瓷電容器也稱為獨石電容器。

獨石電容器的結構是幾片陶瓷薄膜坯料用電極焊盤材料包覆，層壓后一次繞成不可分割的整體，外面用樹脂包封。

獨石電容器是一種體積小、容量大、可靠性高、耐高溫的新型電容器。具有高介電常數的低頻獨石電容器也具有穩定的性能并且有源體積小。

5.4陶瓷介質分類

根據EIA-198-1F-2002，陶瓷介質主要分為四類：

I類：具有溫度補償特性的陶瓷介質，介電常數大多較低，不超過200。通常是順電介質。在溫度、頻率和偏置電壓下，介電常數比較穩定，變化很小。損耗也很低，耗散因數小于0.01。

圖 14。根據 EIA 規范對 1 類電容器進行編碼

最穩定和使用最多的是C0G電容，即NP0。NP0 是 IEC/EN 60384-1 標準的代號，即負正零，使用 N 和 P 表示正偏差和負偏差。

由于介電常數低，C0G電容的電容值很小，最高可達0.1uF。0402 封裝通常最大為 1000pF。

II、III類：其中溫度特性AS屬于II類，介電常數在幾千左右。溫度特性TV屬于Class III，介電常數可高達20000，可見Class III的性能更不穩定。根據IEC的分類，II類和III類都屬于第二類，高介電常數介質。比如X5R和X7R屬于II類電容，廣泛用于電源去耦，而Y5V屬于III類電容，性能不穩定。

圖 15。2 類和 3 類電容器的 EIA 編碼

II、III類電容器的電容值可達數百uF，但由于介電常數較高的介質，大多為鐵電介質（Ferroelectric），溫度穩定性較差。此外，鐵電介質的介電常數在直流偏壓下會降低。

第四類：制造工藝不同于通常的陶瓷材料。內部陶瓷顆粒在外面都是一層薄薄的氧化層，核心是導體。這類電容器容量大，但擊穿電壓小。由于這些電容性能不穩定、損耗大，目前已基本被淘汰。

審核編輯 ：李倩