羅姆第4代SiC MOSFET發揮性能優勢

近日，上汽大眾與臻驅科技聯合開發的首款基于SiC技術的 “三合一”電橋完成試制。據悉，對比現有電橋產品，這款SiC“三合一”電橋在能耗表現方面非常搶眼，每百公里可節約0.645kW·h電能。以上汽大眾在ID 4X車型上的測試結果為例，對比傳統的IGBT方案，整車續航里程提升了4.5%。由此可知，SiC電橋方案的優勢非常明顯。但作為一種新技術，SiC電控系統還存在一些開發難點，比如SiC模塊的本體設計，以及高速開關帶來的系統EMC應對難題。值得一提的是，臻驅科技此次完成試制的“三合一”電橋采用的是羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分發揮了碳化硅器件的性能優勢。

羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品。該產品用于車載主驅逆變器時，效率更高，與使用IGBT時相比，效率顯著提升，因此非常有助于延長電動汽車的續航里程，并減少電池使用量，降低電動汽車的成本。

對比羅姆的第3代SiC MOSFET產品，第4代SiC MOSFET具有導通電阻更低的特點。根據測試結果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時間的前提下，羅姆采用改進的雙溝槽結構，使得MOSFET的導通電阻降低了約40％，傳導損耗相應降低。此外，從RDS（on）與VGS的關系圖中，我們可以發現第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時具有更平坦的梯度，這意味著第4代SiC MOSFET的驅動電壓范圍可拓展至15V-18V。

NVIDIA CEO發布Hopper 架構、H100 GPU

在 NVIDIA GTC 大會主題演講中，黃仁勛介紹了多款全新芯片，包括 Hopper GPU 架構和H100 GPU、AI 和加速計算軟件以及強大的數據中心級系統。

“企業正在處理、完善他們的數據，構建 AI 軟件，并逐漸成為智能制造商，”身處一個 NVIDIA Omniverse 實時 3D 協作和模擬平臺上打造的虛擬環境中，黃仁勛描述了 AI 如何在各個領域“全面開花”。

Omniverse 將匯聚所有這些進步，加快人與 AI 之間的協作、更好地塑造和理解真實世界并成為新型機器人的試驗場，推動“下一波 AI”的發展浪潮。

研華DeviceOn/BI通過工業案例審核

近日，工業互聯網產業聯盟（以下簡稱“AII/聯盟”）公布2021工業APP應用案例評選名單，研華DeviceOn/BI設備管理及業務整合平臺順利通過審核。

DeviceOn/BI集成關鍵技術，通過提供實時監控、優化運營和維護管理，實現業務數字化無縫轉型，為各產業提供全方位的工業物聯網解決方案，提升企業競爭力。目前已成功應用在智慧水務、污/廢水處理、石油化工、廠務環境設施等各個領域，提供從云+中臺+端的一體化解決方案，為各領域構建數字化運維生態系統助力。