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比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

比亞迪半導體 ? 來源:比亞迪半導體 ? 作者:比亞迪半導體 ? 2021-12-03 11:12 ? 次閱讀
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11月3日,由全球電子技術領域知名媒體集團ASPENCORE主辦的2021全球 CEO 峰會暨全球電子成就獎(WEAA)頒獎典禮在深如期舉辦。比亞迪半導體三相全橋碳化硅功率模塊榮膺2021全球電子成就獎之“年度功率半導體/驅動器”!

芯生態 比亞迪車規級半導體整體解決方案

2021全球CEO峰會聚焦新工業戰略,國內外產業領袖共享行業前瞻。比亞迪半導體股份有限公司總經理陳剛發表主題為《芯生態·新發展 比亞迪車規級半導體整體解決方案》的精彩演講。

在談及如何助力實現車規級半導體產業全面快速發展時,他表示:“比亞迪半導體不斷加強科技創新能力,重視基礎科學研究和工藝創新,上下游產業鏈協同合作實現產品性能最優比,以車規級半導體為核心持續拓展下游應用場景。”

在芯生態模式下,陳剛先生深入闡述比亞迪車規級半導體整體解決方案,通過加快研發進度、縮短驗證周期、實現產品性能最優化、提升產品可靠性、保障供應穩定安全等各維度,以高效為核心重點提升功率半導體效率,降低功率損耗,使Si 和 SiC同步發展;

以智能、集成為核心,重點提高關鍵芯片智能化程度,滿足車規級高控制能力需求,最終達到集成化方案和協同化應用的高度融合,使整車在定義智能化汽車當中實現所有的功能協同應用。

技術領航 碳化硅功率模塊榮獲“全球電子成就獎”

據悉,全球電子成就獎由 ASPENCORE 全球資深產業分析師組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網站用戶群共同評選,旨在表彰對推動全球電子產業創新做出杰出貢獻的企業及管理者,充分體現了其在業界的極高地位與深遠影響力。

經過歷時3個月的激烈角逐,多維度綜合評定,比亞迪半導體三相全橋碳化硅功率模塊在眾多知名強勁產品中脫穎而出,以硬核實力斬獲2021全球電子成就獎之“年度功率半導體/驅動器”。

比亞迪半導體碳化硅功率模塊因其創新技術、優異性能及搭載在應用端上出眾的表現,已獲得業內廣泛關注與認可,為國內首款批量裝車的碳化硅模塊。其采用納米銀燒結工藝代替傳統焊料焊接工藝,相比傳統焊接產品,可靠性提升5倍以上,連接層導熱率提升達10倍;采用氮化硅AMB陶瓷覆銅基板,可靠性提升10倍,且增加覆銅厚度來增加橫向散熱能力;采用超聲波焊接工藝連接絕緣基板金屬塊與外部電極,減小模塊雜散電感,并增強過流及散熱能力。

SiC MOSFET,作為新能源汽車下一代功率半導體核心器件,其超低的開關及導通損耗、超高的工作結溫等特性,在實現系統高效率和高頻化方面起到了決定性作用。

此次獲獎的比亞迪半導體碳化硅功率模塊,系一款三相全橋拓撲結構的灌封全碳化硅功率模塊,主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題,充分發揮了 SiC 功率器件的高效、高頻、耐高溫優勢。

該碳化硅功率模塊于2020年搭載比亞迪明星車型“漢EV”上市,助力整車實現百公里加速3.9s,百公里能耗降低1度電,續航提升5%以上,大大提升SiC電控的綜合效率,使整車的動力性、經濟性表現出色。

憑借多年的功率器件設計經驗和集團汽車級應用平臺資源,比亞迪半導體率先進軍SiC功率器件研發領域。經過不懈努力,其已成為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的半導體公司,牢牢掌握SiC研發的核心前沿技術。公司是全球首家、國內唯一實現 SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體企業。

未來,比亞迪半導體將不斷優化提升IGBT及SiC功率器件性能表現,往高效率、高集成、高可靠性方向不斷發展。

新發展 集成化方案與協同化應用高度融合

半導體行業是極度依賴全球化的產業,產業鏈分工明確,上下游的協同在半導體產業發展過程中起著至關重要的作用。

歷經17載,比亞迪半導體依靠自主研發掌握一系列核心技術,在功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器光電半導體等領域深入布局,憑借持續的研發投入、經驗豐富的研發團隊和多年的技術積累及應用實踐,形成了豐富的產品線,并在車規級產品領域實現了重大技術突破。

IGBT、 SiC 器件、 MCULED 光源、電流傳感器等車規級產品均已實現量產及裝車,擁有了大規模的應用數據,在車規級半導體自主可控進程中掌握先發優勢,具備為整車廠提供集成化解決方案和協同化應用平臺的能力。比亞迪半導體現已成長為國內領先的車規級半導體整體方案供應商,產品已基本覆蓋新能源汽車核心應用領域,如電控系統、電池管理系統、熱管理系統等。

惟創新者進,惟創新者強,惟創新者勝。比亞迪半導體獲此殊榮,離不開其對技術創新的不懈追求。面對汽車百年未有之大變局的機遇與挑戰,比亞迪半導體將持續以創新的產品和強大技術實力,充分利用整車制造平臺優勢,打破國產車規級半導體下游應用瓶頸,始終走在技術創新和產品應用的最前沿,提供領先的半導體產品及解決方案,實現集成化方案與協同化應用高度融合,持續向行業注入新的活力。

編輯:jq

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原文標題:創新引領未來,比亞迪半導體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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