電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）根據(jù)2021年上半年DRAM市場情況來看，長鑫存儲的全球市占已經(jīng)來到1%，排名第五（三星、SK海力士、美光三家共占據(jù)94%份額），NAND市場排名中，長江存儲全球市占已經(jīng)達到2%（2020年下半年僅1%），排名第七（其他還有三星、鎧俠、西數(shù)、SK海力士、美光、英特爾等）。雖然相比全球各大廠商，這個份額仍然顯得微不足道，卻是國產(chǎn)存儲的積極重大的進步。

另一方面，2022年DRAM和閃存景氣度顯不足，應用需求的變化等形勢值得注意，

國產(chǎn)存儲的階段性進步

中國是全球最大的應用市場，在智能手機、PC和服務器市場中國都占據(jù)了超過30%到40%的份額。正因為終端產(chǎn)業(yè)在中國，才給了國產(chǎn)存儲更好的發(fā)展機會。

DRAM方面，長鑫存儲已經(jīng)成功量產(chǎn)19nm DDR4/LPDDR4，正在推進LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，預計會采用17nm以下工藝制程。截至2020年底，長鑫存儲12寸月產(chǎn)能達到4萬片，開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設。未來隨產(chǎn)能的不斷擴張，有望超載南亞成為全球第四大DRAM芯片廠商。

除了長鑫存儲，東芯半導體也有DRAM產(chǎn)品線，據(jù)東芯副總經(jīng)理陳磊介紹，目前結(jié)合公司自主IP，包括有DDR3和低功耗的DDR產(chǎn)品，下一步是開發(fā)LPDDR4。預計明年可以為物聯(lián)網(wǎng)和基帶客戶提供小容量的LPDDR4x產(chǎn)品。最近，兆易創(chuàng)新表示，17nm DDR3產(chǎn)品正在按計劃進行中，預計2022年貢獻營收。

閃存方面，長江存儲已經(jīng)量產(chǎn)64層/128層基于Xtacking架構(gòu)的兩代閃存顆粒，192層的第三代3D NAND存儲芯片也量產(chǎn)在即。國內(nèi)多家存儲主控芯片、模組廠商都加入了長江存儲的生態(tài)合作伙伴體系當中。

當然，基本上國產(chǎn)存儲芯片廠商當前仍需要緊緊跟隨全球頭部玩家。在談了國產(chǎn)存儲取得的一些進展后，我們再來看看近兩年DRAM、NAND市場的行情究竟如何走？

DRAM價格明年或?qū)⑾碌?5%，DDR5到來有望走穩(wěn)

以內(nèi)存分為5大類來看，即PC、服務器、行動式內(nèi)存、繪圖用內(nèi)存以及利基型內(nèi)存。在集邦咨詢2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上，集邦咨詢研究副總經(jīng)理郭祚榮先生給出對明年DRAM行情的預判是，全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)在今年上半年受到Delta卷土重來之際，人們大多仍維持在家上班與上課，客戶端也因強勁需求而持續(xù)拉高庫存水位，讓前三季度內(nèi)存價格一路往上攀升。但隨著疫苗在全球開打，疫情逐步受到控制，回歸上班與上課后，反倒讓需求下降，第四季度內(nèi)存產(chǎn)業(yè)從供不應求轉(zhuǎn)為供過于求致使價格開始走跌。集邦咨詢預估2022年內(nèi)存供給成長率來到18.1%，與今年相持平，銷售單價將年減15%，但明年將是DDR5內(nèi)存進入市場的元年，DDR5內(nèi)存挾帶著高時脈與低電壓的特性，加上國際大廠陸續(xù)支援之下，明年下半年將有一定程度的滲透率 ，內(nèi)存均價跌幅有機會開始收斂，不排除價格走穩(wěn)的可能性。

具體來看，PC或服務器用DRAM價格處于下跌態(tài)勢，行動式內(nèi)存處于緩漲緩跌的情況，基本上也是下跌的形勢。另外圖形用內(nèi)存和利基型內(nèi)存也將是下跌的。

2020-2021年整個筆記本電腦市場受到居家辦公、在線教育等需求刺激，呈現(xiàn)了大幅增長。預估今年筆電出貨量增長15.3%，明年卻是-7.1%的下降，原因是經(jīng)過兩年的旺季，隨著疫情的趨緩，對遠程辦公的需求不再強烈，帶影響新購筆記本的需求減弱。

圖形用內(nèi)存由于虛擬貨幣和游戲主機等領域的拉動也有不錯的成長空間。而消費類包括家電產(chǎn)品又推動了利基型內(nèi)存的需求增長。

集邦咨詢預估2022年手機出貨增長只有3.5%，今年大概是7.3%左右的增長。原因是由于缺少殺手級應用，從4G升級到5G并不會帶來很大的換機潮。

從比重來看，行動式內(nèi)存的份額大概是32%，其中，三星呈現(xiàn)了寡占的市場格局，它的市場份額超過了50%，SK海力士和美光居次。無論是LPDDR4還是LPDDR5，三星的份額還會更高，甚至有價格的決定權(quán)。三星在LPDDR4的份額達到了46%，SK海力士和美光在明年的預估大概是29.2%。

最重要的DRAM應用市場是服務器，服務器的出機臺數(shù)，預估目前每年的成長大概是4%到5%，今年預估在5.4%，明年預估是4.1%，雖然臺數(shù)增長不大，但是服務器存儲有很大的成長空間。服務器內(nèi)存在明年大概是將近18%的成長。

閃存呈現(xiàn)供過于求，在高層數(shù)產(chǎn)能與需求中尋找平衡

集邦咨詢分析師敖國鋒指出，當前投產(chǎn)增長方面，三星在2021年投產(chǎn)增加接近7.5萬片，2022年的產(chǎn)能增加只有約3.5萬片。

國內(nèi)廠商在去年大幅增長3.5萬片之后，2022年的規(guī)劃看起來只有小幅增長。主要原因是國內(nèi)廠商長江存儲明年在制程上轉(zhuǎn)向128層，后續(xù)切入一線大廠的SSD供應和手機內(nèi)存供給之下，長存的產(chǎn)能規(guī)劃相對保守。

在2022年，鎧俠的規(guī)劃小幅增加1.5萬片左右，SK海力士在韓國本地的工廠有小幅增加3DNAND的投產(chǎn)。而英特爾跟SK海力士預計在年底之前會完成第一階段的合并計劃，未來的產(chǎn)品重心將專注于企業(yè)級固態(tài)硬盤的發(fā)展。美光的產(chǎn)能也將有小幅增長?？傮w來看，敖國鋒表示，明年各家廠商在投產(chǎn)的規(guī)劃上相較于2021年都比較保守。

當前，各家廠商的重心都是在96到128層，但是2022年整個產(chǎn)出的供應重心將轉(zhuǎn)到176層，甚至到2023年一些技術(shù)領先的廠商會推升到200層以上的技術(shù)。主要是三星、SK海力士及美光，將有望由176層推向200層以上，英特爾、長江存儲等的技術(shù)研發(fā)會在160層到192層。

今年第四季之后，176層3D NAND有一個小幅度的增長，明年176層產(chǎn)出比例將陸續(xù)增加，主要應用在筆記本電腦、智能手機等市場，至于企業(yè)級SSD即便明年有176層的應用，但仍是以128層為主。

從閃存終端需求分布來看，這兩年智能手機的比例在34%到35%之間。服務器方面，隨著整個服務器出貨增長以及平均容量的增長，明年NAND Flash的需求大概會占到22%左右。另外，明年游戲主機占NAND Flash的需求將占到4%左右，長期來看游戲主機占閃存終端需求在3%到4%之間。針對每個終端產(chǎn)品平均容量增長，2021年到2022年，增長較為積極的是服務器相關平均容量，企業(yè)級固態(tài)硬盤平均容量增長，這兩年都有超過3成以上的增長。

雖然2021年許多芯片出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊，缺貨的情況，但相關PMIC或主控IC的供給狀況持續(xù)改善，因此敖國鋒認為，預估到2022年第二季底，相關元器件供應回歸正常交期，明年上半年在生產(chǎn)需求無法大幅改善，以及原廠產(chǎn)能不斷轉(zhuǎn)進128到176層及更高層數(shù)的情況下，明年上半年閃存市場可能會出現(xiàn)供過于求的局面。再隨著下半年英特爾下一代服務器平臺的量產(chǎn)，將有機會在第三季之后出現(xiàn)一個供需平衡的狀況。

閃存價格方面，2022年第四季度價格仍然有機會繼續(xù)往下小幅衰退，主要原因是原廠產(chǎn)能不斷增加，尤其是轉(zhuǎn)往176層的產(chǎn)能不斷地持續(xù)邁進，估計明年除了第三季度價格稍微持穩(wěn)之外，明年整年度衰退的價格比例大約20%到25%之間。

2021年整個需求位元的增長在38.8%，供給位元的增長在39.1%，明年將呈現(xiàn)供過于求的狀況。2023年估計仍將出現(xiàn)供過于求，考慮到整個原廠產(chǎn)能在轉(zhuǎn)進200層以上的進度，以及市場的需求情況，或許將在2023年及以后的一些時間節(jié)點達到供需平衡。