電子零件廠加快對 EV 相關零件進行增產投資

隨著電動車（EV）需求上升，也讓日本各家電子零件廠增產 EV 零件搶攻 EV 商機，其中羅姆（Rohm）傳出計劃將 EV 用碳化硅（SiC）功率半導體產能擴增至現行的 5 倍。

日經新聞 15 日報導，日本各家電子零件廠加快對 EV 相關零件進行增產投資，其中 Rohm 計劃在今后 5 年內投資 600 億日圓，將使用于 EV 的 SiC 功率半導體產能擴增至現行的 5 倍。

富士電機（Fuji Electric）將投資約 1,200 億日圓擴增日本國內外工廠產能、增產功率半導體；東芝（Toshiba）計劃在 2023 年度結束前投資約 800 億日圓，將功率半導體產能提高 3 成；日本電產（Nidec）將砸下 2,000 億日圓在歐洲興建 EV 用驅動馬達新工廠。

報導指出，Rohm 在碳化硅（SiC）功率半導體的研發上居領先，于全球 SiC 功率半導體市場握有 2 成市占率，和英飛凌（Infineon）、STMicroelectronics 并列為全球主要供應商之一，而其產能擴增至 5 倍后、全球市占率有望提高至 3 成。Rohm 生產的半導體材料也以經由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉（Tesla）的 EV 逆變器（inverter）上。

據報導，日廠增產 EV 相關零件，主要是因為全球各國推出減碳政策，推升 EV 需求。根據波士頓顧問集團（Boston Consulting Group，BCG）的試算，2025 年 EV 等電動化車款占全球新車銷售量比重有望自 2020 年的 10% 揚升至 31% 水平。

日本市調機構富士經濟（Fuji Keizai）2020 年 6 月 5 日公布調查報告指出，2030 年全球功率半導體市場規模預估將擴增至 4 兆 2,652 億日圓，將較 2019 年（2 兆 9,141 億日圓）大增 46.4%。

其中，2030 年碳化硅（SiC）制功率半導體全球市場規模預估將擴增至 2,009 億日圓，將達 2019 年（436 億日圓）的 4.6 倍；氮化鎵（GaN）產品市場規模預估為 232 億日圓，將達 2019 年（19 億日圓）的 12.2 倍。

中國SIC汽車市場

來自ev sales的數據顯示，2019年全球新能源汽車銷量為215萬輛，中國市場銷量達到116萬輛，占全球比重達54%。

據統計，2020年、2023年、2025年，中國新能源汽車產量分別為160萬輛、320萬輛、480萬輛。2020-2022年，只有少部分B級及以上車型采用SiC基MOSFET，其他車型采用硅基IGBT，預計2023年是8英寸SiC襯底技術商業化初步成熟之年，屆時，相當數量的B級及以上車型將采用SiC基MOSFET，A級及以下車型仍使用硅基IGBT。SiC基 MOSFET成本每年降低2%。

據中信建投證券估計，到2025年，中國新能源汽車用功率器件市場規模在100億元以上，其中硅基IGBT逾70億元，SiC基MOSFET近40億元。

受益于混動和新能源汽車銷量快速增長，以及新能源雙積分政策推動，國內汽車功率半導體將保持旺盛的市場需求。中長期來看，SiC基MOSFET發展潛力巨大，值得期待。

本文由電子發燒友綜合報道，內容參考自rohm、IT之家，轉載請注明以上來源。