国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

業界先進的7nm工藝技術,集成594億個晶體管

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 作者:新思科技 ? 2020-11-27 14:32 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IC Compiler II作為新思科技Fusion Platform的一部分,憑借其行業領先的容量和吞吐量,加速了超大規模Colossus IPU的實現,該IPU擁有超過590億個晶體管

RTL-to-GDS流程為AI硬件設計所需的創新優化技術提供了最佳性能、功耗和面積(PPA)

集成式黃金簽核技術通過零裕度流程提供了可預測且可收斂的融合設計

新思科技(Synopsys)近日宣布,其行業領先的IC CompilerII布局布線解決方案成功協助Graphcore實現第二代Colossus MK2 GC200智能處理單元(IPU)芯片的一次性流片成功。該IPU采用了業界先進的7nm工藝技術,集成594億個晶體管。新思科技IC Compiler II擁有針對AI硬件設計的超高容量架構和創新技術,其RTL-to-GDS流程與最先進的功耗優化能力,以及PrimeTime延遲計算器等嵌入式黃金簽核技術,為Graphcore設計團隊提供了優越的PPA和最快的設計收斂時間,從而加快了Graphcore大規模AI處理器設計的實現。

“新思科技的數字全流程解決方案(包括Design Compiler和IC Compiler II在內的業界一流RTL-to-GDS工具)提供了單一供應商所能提供的最全面設計平臺,這對我們最新的Colossus IPU按時流片至關重要。與新思科技的長期合作使我們能夠利用IC Compiler II的最前沿技術,實現先進AI處理器的性能與功率目標。我們相信,基于與新思科技在IC Compiler II和Fusion Compiler上的持續合作,我們將不斷拓展機器智能計算的極限。”

——Graphcore

硅業務副總裁

Phil Horsfield

Graphcore推出的第二代Colossus GC200 IPU是一款精密芯片,集成了1472個獨立處理器核和超過900兆字節的片上存儲,為數據中心規模的AI應用提供卓越的并行處理能力。新思科技的IC Compiler II擁有適配AI設計的多項功能,其頂級互連規劃、邏輯重構、擁塞驅動的mux優化、全流程并發時鐘以及數據優化,為復合AI加速芯片中典型的高度重復、基于MAC的拓撲,提供了同類設計的最佳PPA。

此外,它還具有自適應抽象化和分布式實現的原生高容量數據模型,可以在快速周轉時間內高效處理數十億個實例設計。IC Compiler II具有獨特的最終簽發引擎主干,可提供最高的相關性和超高度收斂的設計,從而進一步加快設計周轉時間。

“AI計算的設計復雜性極限正在不斷被突破,比如Graphcore最新推出的Colossus IPU,它成功利用了IC CompilerII中最新的AI優化技術,同時滿足了最復雜芯片的多個設計目標,這進一步鞏固了作為下一代AI設計首選布局布線工具的領先地位。”

——Neeraj Kaul

工程設計事業部副總裁

新思科技

責任編輯:lq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 處理器
    +關注

    關注

    68

    文章

    20255

    瀏覽量

    252338
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10396

    瀏覽量

    147774
  • AI芯片
    +關注

    關注

    17

    文章

    2128

    瀏覽量

    36783

原文標題:594億顆晶體管的7nm工藝AI芯片,一次性流片成功的王牌武器—ICCII

文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    揭秘芯片測試:如何驗證數十億晶體管

    微觀世界的“體檢”難題在一枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數十億甚至上百億晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800
    的頭像 發表于 03-06 10:03 ?38次閱讀
    揭秘芯片測試:如何驗證數十億<b class='flag-5'>個</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    技術報告 | Gate 和 Fin Space Variation 對應力調制及 FinFET 性能的影響

    (FinPitch);機械應力;晶體管性能概述先進CMOS工藝節點的器件縮微正面臨愈發嚴峻的挑戰,究其原因在于光刻工藝的固有局限,以及三維晶體管
    的頭像 發表于 01-22 15:03 ?490次閱讀
    <b class='flag-5'>技術</b>報告 |  Gate 和 Fin Space Variation 對應力調制及 FinFET 性能的影響

    MUN5136數字晶體管技術解析與應用指南

    onsemi MUN5136數字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網絡。這些數字晶體管包含一晶體管和一單片偏置網絡,單片偏置網絡由兩
    的頭像 發表于 11-24 16:27 ?772次閱讀
    MUN5136數字<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>技術</b>解析與應用指南

    深入解析onsemi偏置電阻晶體管(BRT)NSBAMXW系列技術特性與應用

    安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設計用于替換單個設備和相關外部偏置電阻網絡。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一
    的頭像 發表于 11-21 16:22 ?772次閱讀
    深入解析onsemi偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)NSBAMXW系列<b class='flag-5'>技術</b>特性與應用

    晶體管的基本結構和發展歷程

    隨著集成電路科學與工程的持續發展,當前集成電路已涵蓋二極晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7
    的頭像 發表于 09-22 10:53 ?1636次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的基本結構和發展歷程

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    內建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩PN結組成,第一晶體管PN結在外加電場下正向偏置,減小了內建電場,當通入的
    發表于 09-15 15:31

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產業的前沿技術

    為我們重點介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領域的技術創新。 一、摩爾定律 摩爾定律是計算機科學和電子工程領域的一條經驗規律,指出集成電路上可容納的晶體管數量每18-24
    發表于 09-15 14:50

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創新將繼續維持著摩爾神話

    。 FinFET是在22nm之后的工藝中使用,而GAA納米片將會在3nm及下一代工藝中使用。 在叉形片中,先前獨立的兩
    發表于 09-06 10:37

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    先進晶體管架構,是納米片晶體管(Nanosheet FET)的延伸和發展,主要用于實現更小的晶體管尺寸和更高的集成密度,以滿足未來半導體
    發表于 06-20 10:40

    薄膜晶體管技術架構與主流工藝路線

    導語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術的核心驅動元件,通過材料創新與工藝優化,實現了從傳統非晶硅向氧化物半導體、柔性電子的技術跨越。本文將聚焦于薄膜
    的頭像 發表于 05-27 09:51 ?2897次閱讀
    薄膜<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>技術</b>架構與主流<b class='flag-5'>工藝</b>路線

    低功耗熱發射極晶體管的工作原理與制備方法

    集成電路是現代信息技術的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發展,現代集成電路的集成
    的頭像 發表于 05-22 16:06 ?1335次閱讀
    低功耗熱發射極<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理與制備方法

    無結場效應晶體管詳解

    當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成:雙極結型晶體管(BJT)包含兩背靠背的PN 結,MOSFET也是如此。結型場效應晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一
    的頭像 發表于 05-16 17:32 ?1422次閱讀
    無結場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    BiCMOS工藝技術解析

    一、技術定義與核心特性 BiCMOS(Bipolar-CMOS)?是一種將?雙極型晶體管(BJT)?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技
    的頭像 發表于 04-17 14:13 ?1833次閱讀

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    內建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩PN結組成,第一晶體管PN結在外加電場下正向偏置,減小了內建電場,當通入的電
    發表于 04-15 10:24

    晶體管電路設計(下)

    晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
    發表于 04-14 17:24