三星電子和臺積電目前都計劃開展 3nm 制程工藝研發。據外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAEMBCFET芯片的制造細節。

GAAFET 晶體管（閘極全環場效晶體管）從構造上有兩種形態，是目前 FinFET 的升級版。三星表示傳統的 GAAFET 工藝采用三層納米線來構造晶體管，柵極比較薄；而三星 MBCFET 工藝使用納米片構造晶體管，三星已經為 MBCFET 注冊了商標。三星表示，這兩種方式都可以實現 3nm，但取決于具體設計。

第一種 GAAFET 晶體管的想法早在 1988 年便被提出，這項技術允許設計者通過調整晶體管通道的寬度來精確控制性能和功耗。較寬的材料便于在大功率下獲得更高的性能；而較薄的材料可以降低功耗，但是性能受影響。

三星于 2019 年便展現了 3GAE 工藝的原理。三星表示，與 7LPP 技術相比，3GAE 能夠實現 30% 的性能改進，功率降低 50%，此外晶體管密度可以提升 80%。

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