近日，根據企查查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司新增對外投資——陜西源杰半導體技術有限公司（以下簡稱“源杰半導體”）。

源杰半導體成立于2013年，是一家自主研發、生產和銷售2.5G、10G、25G、50G及更高速半導體激光器芯片的高新技術企業。經過多年的技術研發，公司已擁有了完整獨立的自主知識產權，產品廣泛應用于互聯網、數據中心、光纖到戶。

源杰半導體由國內著名投資機構和技術團隊共同創辦，聚集了光通訊芯片大量本土優秀人才，擁有數條從MOCVD外延生長、到芯片生產，自動測試的生產線。從創辦伊始，公司嚴格遵守國際國內各項法律法規，嚴格遵守TUV、CE、UL、FCC、FDA、RoHS、REACH等國際標準。公司持續致力于向國內外客戶提供高性價比、高可靠性產品，始終追求和客戶長期共贏的合作關系。

2019年，源杰半導體就成功研發出12波MWDM激光器芯片，此后經過內部長期嚴格的可靠性測試，終于在今年6月實現了12波25G MWDM激光器芯片量產。MWDM激光器的量產標志著MWDM產業鏈打通最后一環，進入規模部署時代。

12波MWDM激光器芯片

采用MWDM激光器芯片的5G半有源前傳解決方案，相比光纖直驅、無源WDM前傳方案，在系統容量、管理維護、網絡可靠性、綜合成本上優勢明顯，能大幅節約光纖消耗，為數量龐大的5G基站CRAN前傳網絡建設提供可管可維和可靠的最優解決方案，支持5G快速建設，助力國家“新基建”戰略落地。

原文標題：華為哈勃投資半導體激光器芯片企業源杰半導體

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責任編輯：haq